【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
为了提高显示装置的显示效果，越来越多的人开始将注意力投向显示装置的窄边框设计，尤其是对于用于大屏幕户外显示的拼接屏，窄边框显示装置可以有效降低拼接屏中拼接缝的宽度，显著提高整体的显示效果。现有技术对于窄边框显示器的制作通常是将工艺边际量压缩至极限的方法来实现，其中一项非常重要的技术就是阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,简称GOA)的技术量产化的实现。利用GOA技术将栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动，从而可以省掉栅极驱动集成电路部分，其不仅可以从材料成本和制作 工艺两方面降低产品成本，而且显示面板可以做到两边对称和窄边框的美观设计。现有的显示面板的结构可以如图1所示，其中，GOA电路11对称设置于有效显示区域12的两侧。该GOA电路11的部分显微结构可以如图2a所示，可以清楚地看到，GOA电路11区域内又可以分为TFT (Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)区域111、电容区域112以及用于连接显示区域...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：GOA电路区域，显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线，所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域，其特征在于，所述GOA电路区域分别设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔的底部为所述数据线金属层，所述第二过孔的底部为所述栅线金属层；在所述GOA电路区域的TFT区域，所述数据线金属层与第一电极、所述栅线金属层与第二电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接，以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括GOA电路区域，显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线，所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域，其特征在于， 所述GOA电路区域分别设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔，所述第一过孔的底部为所述数据线金属层，所述第二过孔的底部为所述栅线金属层； 在所述GOA电路区域的TFT区域，所述数据线金属层与第一电极、所述栅线金属层与第二电极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接，以使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域还设置有第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极与所述第一电极利用同层同构图工艺形成，所述第二透明电极与所述第二电极利用同层同构图工艺形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述引线区域还包括 与所述GOA电路区域的TFT区域的第一电极一体形成的第三电极、与所述GOA电路区域的TFT区域的第二电极一体形成的第四电极，所述第三电极和所述第四电极之间形成电容。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括 位于所述TFT区域的栅线金属层与所述数据线金属层之间的栅绝缘层和半导体有源层； 位于所述数据线金属层与所述第一电极之间的树脂层； 位于所述第一电极与所述第二电极之间的钝化层。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一过孔贯穿所述树脂层以露出所述数据线金属层，所述第二过孔分别贯穿所述钝化层、所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述栅线金属层。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一电极通过所述第二过孔与所述栅线金属层电连接，所述第二电极通过所述第一过孔与所述数据线金属层电连接。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一过孔分别贯穿所述钝化层和所述树脂层以露出所述数据线金属层，所述第二过孔分别贯穿所述树脂层和所述栅绝缘层以露出所述栅线金属层。9.根据权利要求1至8任一所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一电极连接像素电极，所述第二电极连接公共电极；或， 所述第一电极连接公共电极，所述第二电极连接像素电极。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至9任一所述的阵列基板。11.一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括GOA电路区域，显示区域设置有交叉设置的数据线和栅线，所述GOA电路区域包括用于输出栅极行驱动信号的薄膜晶体管TFT区域和与所述TFT相连的引线区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐超，金熙哲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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