显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，具有显示区及外围区，特点在于显示区内无需设置接触孔，因此无需于显示区内设置承接接触孔的金属图案，借此可提高开口率，显示装置包括：第一金属层设置于显示区及外围区，绝缘层覆盖第一金属层，图案化半导体层设置于显示区的绝缘层上，第二金属层设置于图案化半导体层上及外围区的绝缘层上，透明导电层直接覆盖第二金属层，以及保护层全面性地覆盖第二金属层、图案化半导体层及透明导电层，其中保护层包含第一部分、第二部分及贯穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。此外，本发明专利技术还提供显示装置的制造方法。本发明专利技术可增加显示装置的开口率，降低外围电路的电阻值，减少显示装置的工艺步骤，并节省制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置，尤其涉及一种显示装置的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
图1示出公知液晶显示面板的阵列基板的上视图，栅极线(gate lines) 12由一金属层形成，而数据线(data lines) 11、源极电极IlS与漏极电极IlD则由另一金属层形成，像素电极14形成于相邻的两条栅极线12与相邻的两条数据线11所定义的像素区P内，在形成数据线11、源极电极IlS及漏极电极IlD的金属层与像素电极14之间具有钝态保护层(passivation layer)(未示出)，为了让漏极电极IlD与像素电极14产生电性连接,需要在漏极电极IlD的上方形成接触孔(contact hole) 16于钝态保护层中，并将像素电极14填充于接触孔16内，以与漏极电极IlD电性连接。为了承接接触孔16，漏极电极IlD需要具有一凸出的金属图案IlP设置于像素区P内，然而，漏极电极IlD凸出的金属图案IlP会造成公知液晶显示面板的开口率下降。此外，在公知液晶显示面板的阵列基板的外围区域，形成栅极线12的金属层与形成数据线11、源极电极IlS及漏极电极IlD的另一金属层通常需要进行电性连接，以符合电路设计的要求。由于在公知液晶显示面板的阵列基板的外围区域上，这两层金属层的位置没有重叠的区域，因此需要在这两层金属层上方的绝缘层及钝态保护层内形成多个接触孔，分别暴露出这两层金属层，并利用形成像素电极14的透明电极材料填充这些接触孔，以电性连接位于外围区域的这两层金属层。然而，形成像素电极14的透明电极材料的电阻值较高，因此会造成外围区域的电路的电阻值增加。 另外，在公知的液晶显示面板中，还具有彩色滤光片(color filter ;简称CF)基板与阵列基板对向设置，在彩色滤光片基板与阵列基板之间需要设置间隔物(spacer)，以控制这两片基板之间的间距，间隔物通常是利用感光材料形成于彩色滤光片基板上，称为彩色滤光片上的间隔物(spacer on CF ;简称S0C)，因此需要一道光掩模以及一道曝光与显影工艺去完成彩色滤光片上的间隔物的制作。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种，其特点在于显示区内不需设置接触孔，因此无需于显示区内设置承接接触孔的金属图案，借此可以克服公知液晶显示面板的问题，增加显示装置的开口率，降低阵列基板外围区域的电路的电阻值，以及减少显示装置的工艺步骤，并节省制造成本。依据本专利技术的一实施例，提供一种显示装置，显示装置具有显示区及围绕显示区的外围区，显示装置包括第一金属层设置于显示区及外围区；绝缘层设置于显示区及外围区，覆盖第一金属层；图案化半导体层设置于显示区的绝缘层上；第二金属层设置于图案化半导体层上及外围区的绝缘层上；透明导电层直接覆盖位于显示区的第二金属层；以及保护层全面性地覆盖第二金属层、图案化半导体层及透明导电层，其中保护层包含第一部分、第二部分及贯穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。依据本专利技术的一实施例，提供一种显示装置的制造方法，显示装置具有显示区及围绕显示区的外围区，其制造方法包括形成第一金属层于显示区及外围区；形成绝缘层于显示区及外围区，覆盖第一金属层；形成图案化半导体层于显示区的绝缘层上；形成第二金属层于图案化半导体层上及外围区的绝缘层上；形成透明导电层直接覆盖位于显示区的第二金属层；以及形成保护层，全面性地覆盖第二金属层、图案化半导体层及透明导电层，其中保护层包含第一部分、第二部分及贯穿孔，且第一部分的高度大于第二部分的高度。本专利技术可增加显示装置的开口率，降低外围电路的电阻值，减少显示装置的工艺步骤，并节省制造成本。为了让本专利技术的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合附图，作详细说明如下。附图说明图1是示出公知的液晶显示面板的阵列基板的上视图。图2是示出依据本专利技术的一实施例，显示装置的阵列基板的局部上视图。图3是示出沿着图2的剖面线A-A’，本专利技术一实施例的阵列基板的局部剖面示意图。图4是示出依据本专利技术的另一实施例，显示装置的阵列基板的局部上视图。图5是示出沿着图4的剖面线B-B’，本专利技术一实施例的阵列基板的局部剖面示意图。图6A至图6J是示出依据本专利技术的一实施例，制造显示装置的各中间阶段的剖面示意图。其中，附图标记说明如下12、GL 栅极线；11、DL 数据线；I IS、IIOS 源极电极；11DU10D 漏极电极；IlP 漏极电极IlD凸出的金属图案；14U12P 像素电极；16 接触孔；P 像素区；1、U 薄膜晶体管；100 第一基板；100A 显示区；100B 外围区；102 第一金属层；102G 栅极；102B 第一金属层的外围电路；104 绝缘层；106 半导体层、图案化半导体层；108 欧姆接触层；110 第二金属层；IlOB 第二金属层的外围电路；112 透明导电层；112B 透明导电层图案；114 保护层；114A 保护层的第一部分；114B 保护层的第二部分；114C 保护层的贯穿孔；120 第一光致抗蚀剂层、图案化第一光致抗蚀剂层；122 图案化第一光致抗蚀剂层的第一部分；124 图案化第一光致抗蚀剂层的第二部分；126 图案化第一光致抗蚀剂层的贯穿孔；128 开口；130、150 半调式掩模；130A、150A 不透光图案；130BU50B 半透光图案；130C、150C 透光图案；140 第二光致抗蚀剂层、图案化第二光致抗蚀剂层；160 框胶；200 第二基板；300 显示介质层；400 显示装置。具体实施例方式参阅图2，其示出依据本专利技术的一实施例，显示装置的阵列基板的局部上视图。图2中所显示的薄膜晶体管(thin-film transistor ;简称TFT) I为I型元件(I typedevice)，其包含栅极(未示出)、绝缘层(未示出)、图案化半导体层106、源极电极IlOS及漏极电极110D。如图2所示，两条相邻的栅极线GL与两条相邻的数据线DL之间定义出像素区(pixel) P，栅极(未示出)、栅极线GL由第一金属层102 (参阅图3)形成，数据线DL、源极电极IlOS及漏极电极IlOD则由第二金属层110 (参阅图3)形成，像素电极112P由透明导电层112(参阅图3)形成，像素电极112P设置于像素区P内，且延伸至漏极电极IlOD上，在像素电极112P与漏极电极IlOD之间没有钝态保护层存在，像素电极112P直接覆盖漏极电极IlOD而产生电性连接。因此，依据本专利技术的实施例，在漏极电极IlOD上方不需设置接触孔，漏极电极IlOD不需因承接接触孔而额外增加金属图案在像素区P内，因此漏极电极IlOD不会占据像素区P，借此可以提高显示装置的开口率。图3是示出沿着图2的剖面线A-A’，本专利技术一实施例的阵列基板的局部剖面示意图。形成栅极(未示出)、栅极线GL的第一金属层102形成于第一基板100上，绝缘层104形成于第一金属层102上，图案化半导体层106形成于绝缘层104上，图案化半导体层106例如为非晶硅层(a-Si)，源极电极IlOS与漏极电极IlOD形成于图案化半导体层106上。此外，在源极电极110S、漏极电极IlOD与图案化半导体层106之间还具有欧姆接触层(ohmic contact layer) 108本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，具有一显示区及围绕该显示区的一外围区，该显示装置包括：一第一金属层，设置于该显示区及该外围区；一绝缘层，设置于该显示区及该外围区，覆盖该第一金属层；一图案化半导体层，设置于该显示区的该绝缘层上；一第二金属层，设置于该图案化半导体层上及该外围区的该绝缘层上；一透明导电层，直接覆盖位于该显示区的该第二金属层；以及一保护层，全面性地覆盖该第二金属层、该图案化半导体层及该透明导电层，其中该保护层包含一第一部分、一第二部分及一贯穿孔，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。

【技术特征摘要】
2011.10.06 TW 1001362351.一种显示装置，具有一显示区及围绕该显示区的一外围区，该显示装置包括 一第一金属层，设置于该显示区及该外围区； 一绝缘层，设置于该显示区及该外围区，覆盖该第一金属层； 一图案化半导体层，设置于该显示区的该绝缘层上； 一第二金属层，设置于该图案化半导体层上及该外围区的该绝缘层上； 一透明导电层，直接覆盖位于该显示区的该第二金属层；以及一保护层，全面性地覆盖该第二金属层、该图案化半导体层及该透明导电层，其中该保护层包含一第一部分、一第二部分及一贯穿孔，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。2.如权利要求1所述的显示装置，其中位于该图案化半导体层上的该第二金属层上方无接触孔，且该显示区内无该第二金属层。3.如权利要求1所述的显示装置，其中位于该外围区的该绝缘层具有一开口，暴露出该第一金属层，且位于该外围区的该第二金属层经由该开口直接接触该第一金属层。4.如权利要求1所述的显示装置，还包括 一第一基板，设置于该第一金属层下方； 一第二基板，与该第一基板对向设置；以及 一显不介质层，设置于该第一基板与该第二基板之间。5.如权利要求4所述的显示装置，其中该保护层的该第一部分为支撑该第二基板的一间隔物，设置于该显示区的一不透光区。6.如权利要求1所述的显示装置，其中该保护层的该贯穿孔设置于该外围区，且暴露出位于该外围区的该第二金属层。7.如权利要求1所述的显示装置，其中该透明导电层还包括一部分直接覆盖位于该外围区的该第二金属层。8.如权利要求7所述的显示装置，其中该保护层的该贯穿孔设置于该外围区，且暴露出位于该外围区的该透明导电层的该部分。9.如权利要求1所述的显示装置，其中该保护层的材料包括绝缘感光材料。10.如权利要求1所述的显示装置，其中该透明导电层与该图案化半导体层部分地重叠。11.如权利要求1所述的显示装置，其中该透明导电层与该图案化半导体层没有重叠。12.—种显示装置的制造方法，其中该显示装置具有一显示区及围绕该显示区的一外围区，该制造方法包括 形成一第一金属层于该显示区及该外围区； 形成一绝缘层于该显示区及该外围区，覆盖该第一金属层； 形成一图案化半导体层于该显示区的该绝缘层上； 形成一第二金属层于该图案化半导体层上及该外围区的该绝缘层上； 形成一透明导电层，直接覆盖位于该显示区的该第二金属层；以及形成一保护层，全面性地覆盖该第二金属层、该图案化半导体层及该透明导电层，其中该保护层包含一第一部分、一第二部分及一贯穿孔，且该第一部分的高度大于该第二部分的高度。13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中位于该图案化半导体层上的该第二金属层上方无接触孔形成，且该显示区内无该第二金属层形成。14.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中形成该图案化半导体层的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴荣彬，吴健豪，陈柏孝，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：