一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:8531820 阅读:147 留言:0更新日期:2013-04-04 14:10
本发明专利技术涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置,用于解决现有技术中存在的由于栅极的尺寸较大,导致馈入电压的值增大的问题。本发明专利技术实施例的阵列基板,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的栅线、以及位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层,该遮光层用于遮挡射入有源层中的光线,其中,栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。本发明专利技术实施例通过遮光层遮挡射入有源层中的光线,使栅极的线宽能够小于该栅极所在的栅线的线宽,从而减小了TFT极间电容的值,进而减小了影响TFT-LCD的画面等级的馈入电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有功耗低、福射低及制造成本低等特点,已被广泛应用于各种电子设备中,如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中,薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display, TFT-LCD)是ー种主要的平板显示装置(FPD, Flat PanelDisplay)。 TFT-1XD的阵列基板中的每个像素点都是通过集成在该阵列基板上且与像素点连接的TFT元件来驱动和控制。传统的TFT元件的结构,如图1及图2所示,包括位于衬底基板10上的栅极11和栅线111,位于栅极11和栅线111上的栅绝缘层12,位于绝缘层12上的有源层13,位于有源层13上的源极14、源极线141及漏极15,位于源极14、源极线141及漏极15上的保护层16,以及位于保护层16上的透明电极17。由于液晶本身不会发光,而是依靠背光模组将光线射入液晶显示面板,以显示图像。目前,TFT中的有源层一般采用非晶娃(am本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管连接的栅线,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层,所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线,其中,所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管,以及与所述薄膜晶体管连接的栅线,其特征在于,所述阵列基板还包括 位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层,所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线,其中,所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层为非透明导电材料,所述阵列基板还包括位于所述遮光层上的绝缘层。4.如权利要求r3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层设置于所述衬底基板上,且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。5.如权利要I所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极,其中,所述遮光层与所述阵列基板的像素电极位于同一层,且所述遮光层与所述像素电极采用相同的材料。6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层与所述像素电极设置于所述衬底基板上,且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。7.如权利要求5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的保护层上的公共电极,其中, 所述公共电极包括多个设置于所述保护层上且相互平行的条状电极; 所述像素电极包括多个设置于所述衬底基板上且相互平行的条状电极; 且所述像素电极的任一条状电极与所述公共电极的任一条状电极不重叠。8.一种液晶显示装置,其特征在于,所述液晶显示装置包括如权利要求f 7任一所述的阵列基板。9.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括 通过一次构图工艺,在衬底基板上形成的遮光层; 通过构图工艺,在形成有遮光层...

【专利技术属性】
技术研发人员:金熙哲刘圣烈崔承镇宋泳锡
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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