本发明专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置，用于解决现有技术中存在的由于栅极的尺寸较大，导致馈入电压的值增大的问题。本发明专利技术实施例的阵列基板，包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的栅线、以及位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层，该遮光层用于遮挡射入有源层中的光线，其中，栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。本发明专利技术实施例通过遮光层遮挡射入有源层中的光线，使栅极的线宽能够小于该栅极所在的栅线的线宽，从而减小了TFT极间电容的值，进而减小了影响TFT-LCD的画面等级的馈入电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有功耗低、福射低及制造成本低等特点，已被广泛应用于各种电子设备中，如显示器、电视、手机、数码相机等数字电子设备。其中，薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display, TFT-LCD)是ー种主要的平板显示装置(FPD, Flat PanelDisplay)。 TFT-1XD的阵列基板中的每个像素点都是通过集成在该阵列基板上且与像素点连接的TFT元件来驱动和控制。传统的TFT元件的结构,如图1及图2所示,包括位于衬底基板10上的栅极11和栅线111，位于栅极11和栅线111上的栅绝缘层12，位于绝缘层12上的有源层13，位于有源层13上的源极14、源极线141及漏极15，位于源极14、源极线141及漏极15上的保护层16，以及位于保护层16上的透明电极17。由于液晶本身不会发光，而是依靠背光模组将光线射入液晶显示面板，以显示图像。目前，TFT中的有源层一般采用非晶娃(amorphous silicon, a-Si)或多晶娃(polycrystalline silicon,p-Si)等半导体材料，由于半导体材料对光线敏感，因此，光线的照射会影响有源层的性能，会产生光照漏电流，从而影响TFT元件的性能。为了保护有源层，一般需要将TFT的栅极11的尺寸制作得足够大，如图2所示，栅极11的线宽必须不小于有源层13的线宽，从而能够利用栅极11遮挡从背光模组发出的光线，使有源层13不会暴露在从背光模组发出的光线中，但这样会造成栅极11和源极14、漏极15之间的交叠面积变大。栅极与源极之间的交叠面积变大，导致TFT极间电容Cgs的值增大；栅极和漏极之间的交叠面积变大，导致TFT极间电容Cgd的值増大，而TFT极间电容Cgs和Cgd的值増大，导致馈入(Feed through)电压A Vp的值增大，从而使TFT-1XD的画面等级(screen grade)降低，从而会导致难以驱动阵列基板中的各像素点。综上所述，现有的阵列基板中，由于栅极的尺寸较大，导致TFT极间电容Cgs和Cgd的值增大，导致馈入(Feed through)电压AVp的值增大,从而使TFT-1XD的画面等级(.screen grade；降低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法及液晶显示装置，用于解决现有技术中存在的由于栅极的尺寸较大，导致TFT极间电容Cgs和Cgd的值増大，导致馈入电压AVp的值增大的问题。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管连接的栅线，以及位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层，所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线；其中，所述栅线中作为薄膜晶体管的栅极的线宽小于所述栅线的线宽。优选的，所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于所述有源层的线宽。优选的，所述遮光层为非透明导电材料，所述阵列基板还包括位于所述遮光层上的绝缘层。优选的，所述遮光层设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。优选的，所述阵列基板还包括像素电极，其中，所述遮光层与所述阵列基板的像素电极位于同一层，且所述遮光层与所述像素电极采用相同的材料。优选的，所述遮光层与所述像素电极设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。优选的，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的保护层上的公共电极，其中，所述公共电极包括多个设置于所述保护层上且相互平行的条状电极；所述像素电极包括多个设置于所述衬底基板上且相互平行的条状电极；且所述像素电极的任一条状电极与所述公共电极的任一条状电极不重叠。本专利技术实施例提供了一种液晶显示装置，包括上述任一阵列基板。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括通过一次构图工艺，在衬底基板上形成的遮光层；通过构图工艺，在形成有遮光层的衬底基板上依次形成栅线、栅极、栅绝缘层、有源层以及源极和漏极；其中，所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线，所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。优选的，所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。优选的，若所述遮光层为导电材料，在形成遮光层之后且在形成栅极之前，还包括通过一次构图工艺，在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括通过构图工艺，在衬底基板上依次形成栅线、栅极及栅绝缘层；通过一次构图工艺，在形成有栅线、栅极及栅绝缘层的衬底基板上形成遮光层；通过构图工艺，在形成有遮光层的衬底基板上依次形成有源层以及源极和漏极；其中，所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线，所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。优选的，所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。优选的，若所述遮光层为导电材料，在形成遮光层之后且在形成有源层之前，还包括通过一次构图工艺，在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，包括通过一次构图工艺，在衬底基板上形成遮光层和像素电极，其中，所述遮光层与所述像素电极采用非透明导电材料；通过一次构图エ艺，在形成有遮光层的衬底基板上形成绝缘层；通过构图エ艺，在形成有绝缘层的衬底基板上依次形成栅线、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、保护层及公共电极；其中，所述遮光层用于遮挡射入所述有源层中的光线，所述栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。优选的，所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。本专利技术实施例通过在阵列基板的衬底基板与薄膜晶体管的有源层之间设置遮光层，用以遮挡射入有源层中的光线，使阵列基板中的栅极的线宽能够小于该栅极所在的栅线的线宽，从而减小了栅极与源极之间的交叠面积以及栅极和漏极之间的交叠面积，即减小了 TFT极间电容Cgs和Cgd的值，进而减小了影响TFT-1XD的画面等级的馈入电压AVp，并且减小了栅线延迟和源极线延迟。附图说明图1为
技术介绍
中阵列基板结构的俯视示意图；图2为图1所示的阵列基板的A-A方向剖面示意图；图3A为本专利技术实施例第一种阵列基板结构的俯视示意图；图3B为图3A所示的第一种阵列基板的B-B方向剖面示意图；图3C为本专利技术实施例图3A所不的第一种阵列基板的另ー结构的B-B方向剖面不意图；图4为本专利技术实施例第一种阵列基板制造方法的流程图；图5A 图5E为本专利技术实施例一的阵列基板的制造过程中阵列基板结构的俯视示意图；图6A为本专利技术实施例第二种阵列基板结构的俯视示意图；图6B为图6A所示的第二种阵列基板结构的B-B方向剖面示意图；图6C为图6A所示的第二种阵列基板的另ー结构的B-B方向剖面示意图；图7为本专利技术实施例第二种阵列基板制造方法的流程图；图8A为本专利技术实施例第三种阵列基板中薄膜晶体管部分的结构俯视示意图；图8B为图8A所示的第三种阵列基板中薄膜晶体管部分的C-C方向剖面示意图；图SC为图8A所示的第三种阵列基板中薄膜晶体管部分的B-B方向示意图；图9为本专利技术实施例第三种阵列基板制造方法的流程图；图1OA 图1OE本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管连接的栅线，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层，所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线，其中，所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，该阵列基板包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管连接的栅线，其特征在于，所述阵列基板还包括 位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管的有源层之间的遮光层，所述遮光层用于遮挡射入有源层中的光线，其中，所述薄膜晶体管的栅极的线宽小于该栅极所在的栅线的线宽。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的线宽小于所述有源层的线宽。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层为非透明导电材料，所述阵列基板还包括位于所述遮光层上的绝缘层。4.如权利要求r3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。5.如权利要I所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，其中，所述遮光层与所述阵列基板的像素电极位于同一层，且所述遮光层与所述像素电极采用相同的材料。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层与所述像素电极设置于所述衬底基板上，且所述遮光层与所述有源层之间包括所述薄膜晶体管的栅极及位于所述栅极上的栅绝缘层。7.如权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的保护层上的公共电极，其中， 所述公共电极包括多个设置于所述保护层上且相互平行的条状电极； 所述像素电极包括多个设置于所述衬底基板上且相互平行的条状电极； 且所述像素电极的任一条状电极与所述公共电极的任一条状电极不重叠。8.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括如权利要求f 7任一所述的阵列基板。9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括 通过一次构图工艺，在衬底基板上形成的遮光层； 通过构图工艺，在形成有遮光层...
【专利技术属性】
技术研发人员：金熙哲，刘圣烈，崔承镇，宋泳锡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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