一种阵列基板和其制备方法、及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板和其制备方法、及液晶显示装置，阵列基板包括：栅绝缘层；金属氧化物半导体形成的阻挡层图案和有源半导体层图案位于栅绝缘层之上；半导体保护层覆盖所述阻挡层图案、有源半导体层图案和栅绝缘层，且在阻挡层图案和有源半导体层图案上的相应位置处形成有过孔；在各个过孔处设置有金属Cu制作而成的数据线、源电极和漏电极。采用金属Cu制作数据线、源电极和漏电极，采用金属氧化物半导体作为金属Cu的阻挡层，在形成薄膜晶体管的过程中防止了金属Cu向栅绝缘层等层中进行扩散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，特别是指一种阵列基板和其制备方法、及液晶显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(TFT-LCD,Thin Film Transistor LiquidCrystalDisplay)具有体积小、功耗低、无福射等特点。随着TFT-1XD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，采用了更高频率的驱动电路以提高显示质量，导致大尺寸、高分辨率TFT-1XD的图像信号的延迟更为严重。TFT-1XD信号的延迟主要由T=RC决定，R为信号电阻，C为相关电容。现在一般采用化学性质稳定、电阻率较高的Ta、Cr、Mo等金属或是其合金作为金属电极的材料制作TFT-1XD的栅极、栅极扫描线和数据线。随着TFT-1XD尺寸和分辨率地提高，栅极扫描线长度也随着增大，信号延迟时间也随之增大，信号延迟增加到一 定的程度，一些像素得不到充分的充电，造成亮度不均匀，使TFT-1XD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。随着液晶显示器尺寸地增大，需要不断提高驱动电路的频率。非晶硅薄膜晶体管的迁移率在O. 5左右，但液晶显示器超过80英寸，驱动频率为120Hz时需要lcm2/V. S以上的迁移率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：栅绝缘层；金属氧化物半导体形成的阻挡层图案和有源半导体层图案位于栅绝缘层之上；半导体保护层覆盖所述阻挡层图案、有源半导体层图案和栅绝缘层，且在阻挡层图案和有源半导体层图案上的相应位置处形成有过孔；在各个过孔处设置有金属Cu制作而成的数据线、源电极和漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括栅绝缘层；金属氧化物半导体形成的阻挡层图案和有源半导体层图案位于栅绝缘层之上；半导体保护层覆盖所述阻挡层图案、有源半导体层图案和栅绝缘层，且在阻挡层图案和有源半导体层图案上的相应位置处形成有过孔；在各个过孔处设置有金属Cu制作而成的数据线、源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体保护层覆盖所述阻挡层图案、有源半导体层图案和栅绝缘层包括所述半导体保护层在非过孔位置处则形成于栅绝缘层上。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层包括两层第一层为氮化硅，第二层为氧化硅，第二层直接与有源半导体层图案或者半导体保护层接触。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体保护层覆盖阻挡层图案、 有源半导体层图案和栅绝缘层，且在阻挡层图案和有源半导体层图案上的相应位置处形成有过孔包括第一过孔是数据线与源电极连接过孔；第二过孔是源电极过孔；第三过孔是漏电极过孔。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，采用透明导电材料形成数据线与源电极连接线，所述数据线与源电极连接线在第一过孔处连接了数据线和源电极。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，采用透明导电材料在第二过孔处形成薄膜，覆盖第二过孔处的源电极。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：