阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:8531818 阅读:176 留言:0更新日期:2013-04-04 14:10
本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板及显示装置,涉及液晶显示领域,能够减小像素电极的跳变电压,进而使画面显示更稳定。本发明专利技术实施例的阵列基板,包括像素电极以及为所述像素电极提供数据电压信号的数据线,还包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,每一像素电极连接有一个所述第一薄膜晶体管和一个所述第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极;相邻两行像素电极间设置有两条栅线,所述第一栅极和所述两条栅线中的一条栅线电连接,所述第二栅极和所述两条栅线中的另一条栅线电连接,且所述第一栅极和所述第二栅极在提供开关电压信号后不同时关断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置
技术介绍
薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)有轻、薄、低能耗等优点,被广泛应用于电视、计算机、手机、数码相机等现代化信息设备。TFT-LCD主要由阵列基板和彩膜基板组成,其中,阵列基板包括栅极、数据线、像素电极和薄膜晶体管。当栅极为高电压时,薄膜晶体管打开,通过数据线给像素电极充电;当栅极为低电压时,薄膜晶体管关闭,像素电极的存储电压将维持到下一次薄膜晶体管重新打开。现有技术中的阵列基板为单栅极结构,由于薄膜晶体管中漏极与栅极之间存在重叠,导致薄膜晶体管存在寄生电容Cgd。如图1所示,当来自栅线的开关电压信号控制薄膜晶体管打开时,来自数据线的数据电压信号开始给像素电极充电,像素电极上的像素充电电压逐渐升高至设定值;在薄膜晶体管关断的瞬间,即开关电压信号降为低电平的瞬间,寄生电容Cgd上储存电荷会发生改变,从而引起像素电极上的电压发生改变,进而导致像素电极上电压产生跳变电压a Vp,引起画面闪烁。专利技术内容本专利技术所要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,包括像素电极以及为所述像素电极提供数据电压信号的数据线,其特征在于,还包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,每一像素电极连接有一个所述第一薄膜晶体管和一个所述第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极;相邻两行像素电极间设置有两条栅线,所述第一栅极和所述两条栅线中的一条栅线电连接,所述第二栅极和所述两条栅线中的另一条栅线电连接,且所述第一栅极和所述第二栅极在提供开关电压信号后不同时关断。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括像素电极以及为所述像素电极提供数据电压信号的数据线,其特征在于,还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,每一像素电极连接有一个所述第一薄膜晶体管和一个所述第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极;相邻两行像素电极间设置有两条栅线,所述第一栅极和所述两条栅线中的一条栅线电连接,所述第二栅极和所述两条栅线中的另一条栅线电连接,且所述第一栅极和所述第二栅极在提供开关电压信号后不同时关断。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管还包括第一漏极,所述第二薄膜晶体管还包括第二漏极,所述第二漏极与所述第一漏极相连接,所述第一漏极通过第一过孔与所述像素电极相连接。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:王盛
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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