一种TFT-LCD阵列基板及制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板、制作方法及显示装置，涉及液晶显示技术领域，可以改善残像现象，提高液晶显示装置的显示品质。所述TFT-LCD阵列基板包括：透明基板，设置在透明基板上的公共电极线，栅线和数据线，像素电极、公共电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中像素电极和公共电极在加电后形成多维电场；第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；第二栅极与第n行栅线电连接，第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；第二源极与公共电极线电连接；在阵列基板的一帧栅线扫描过程中，第n行栅线比第n+1行栅线先扫描。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种TFT-1XD (ThinFilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板及制作方法、显示装置。
技术介绍
目前，液晶显示器已经广泛应用于电脑 、电视、手机等各种电子显示产品上，人们对液晶显示器在显示过程中存在的问题也越来越关注。液晶显示器在显示过程中可能存在很多问题，其中出现残像是问题之一。当液晶显示器进行图像转换或关机时，由于存储电容的耦合和floating(悬浮)电极等原因会使像素电极上积累很多电荷，这些电荷会使所述像素电极和公共电极之间形成电场，使所述像素电极和公共电极之间的液晶保持翻转状态，显示屏还有上一时刻残留的影像即残像，随着这些电荷慢慢消失，液晶状态逐渐改变，显示屏上的残像也会慢慢消失；残像的出现严重影响了液晶显示器的显示品质。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种TFT-1XD阵列基板及制作方法、显示装置，可以改善残像现象，提闻液晶显不器的显不品质。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案本专利技术实施例提供了一种TFT-1XD阵列基板，透明基板，设置在所述透明基板上的公共电极线，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极、公共电极和第一薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述栅线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述像素电极连接；所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第二栅极与第η行栅线电连接，所述第η行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第η行栅线比所述第η+1行栅线先扫描。优选的，所述第η行栅线驱动的第二薄膜晶体管的个数与所述第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的个数相同；所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括所述第η行栅线驱动的每个所述第二薄膜晶体管的第二漏极一一对应地与第η+1行栅线驱动的每个第一薄膜晶体管对应的像素电极电连接。可选的，所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的第一漏极连接，或者对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极连接。可选的，所述阵列基板还包括与所述公共电极线电连接的公共电极；所述第二源极与所述公共电极线电连接包括所述第二源极与公共电极连接。本专利技术实施例还提供了一种TFT-1XD阵列基板的制作方法，包括在透明基板上制作形成公共电极线，栅线及数据线，像素电极，公共电极，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；形成的所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极；形成的所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；形成的所述第二栅极与第η行栅线电连接，形成的所述第η行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；形成的所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第η行栅线比所述第η+1行栅线先扫描。本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板、液晶层和阵列基板，所述阵列基板为上述的TFT-1XD阵列基板。 本专利技术实施例提供的TFT-1XD阵列基板及制作方法、显示装置，通过第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第η行栅线的电连接，使得显示装置在扫描第η行栅线时可以驱动所述第二薄膜晶体管工作，导通所述第二薄膜晶体管的源极和漏极；然后再通过所述第二薄膜晶体管的源极和漏极分别与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管对应的像素电极和公共电极线的电连接，从而导通所述第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管对应的像素电极和公共电极，使所述像素电极和公共电极之间的电势差为0，抑制了像素电极上由于电荷积累引起的液晶偏转，有效地改善了残像现象，提高了显示装置的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种TFT-LCD阵列基板的俯视图；图2为本专利技术实施例提供的一种TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的另一种TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种TFT-1XD阵列基板的等效电路图。附图标记1-第一薄膜晶体管，2-第二薄膜晶体管，3-像素电极，4-公共电极，51-第一钝化层，52-第二钝化层，6-栅绝缘层，7-有源层，8-栅线，9-数据线；11-第一栅极，12-第一源极，13-第一漏极,21-第二栅极，22-第二源极，23-第二漏极，81-第η行栅线，82-第η+1行栅线。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1、图2所示，本专利技术实施例提供了一种TFT-1XD阵列基板，所述阵列基板包括透明基板，设置在所述透明基板上的公共电极线，交叉设置在所述透明基板上的栅线8及数据线9，设置在所述栅线8及数据线9限定的像素区域内的像素电极3，公共电极4和第一薄膜晶体管I ;其中，所述像素电极3和所述公共电极4在加电后形成多维电场；所述第一薄膜晶体管I包括第一栅极11、第一源极12和第一漏极13，所述第一栅极11与所述栅线8连接，所述第一源极12与所述数据线9连接，所述第一漏极13与所述像素电极3连接。另外，如图2所示，所述阵列基板还包括栅绝缘层6，有源层7。所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管2，所述第二薄膜晶体管2包括第二栅极21、第二源极22和第二漏极23。其中，所述第二栅极21与第η行栅线电连接，所述第η行 栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线。所述第二漏极23对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管对应的像素电极3电连接；所述第二源极22与所述公共电极线(图中未示出)电连接。通常而言，公共电极线可以和栅线、栅极由同一层金属薄膜，通过构图工艺形成；当然，公共电极线也可以和数据线、源极、漏极由同一层金属薄膜，通过构图工艺形成。在这里需要说明的是，薄膜晶体管有三个电极，其中一个施加开启电压的电极为栅极，另两个分别为源极和漏极，由于源极和漏极的作用相同，故源极和漏极不做区分。为方便描述在本专利技术实施例中，将与像素电极连接的称为漏极，例如第一漏极13、第二漏极23 ;将另一电极称为源极，例如与数据线连接的第一源极12、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT?LCD阵列基板，其特征在于，包括：透明基板，设置在所述透明基板上的公共电极线，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极、公共电极和第一薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述栅线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述像素电极连接；而且，所述阵列基板还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第二栅极与第n行栅线电连接，所述第n行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线；所述第二漏极对应的与第n+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接；所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第n行栅线比所述第n+1行栅线先扫描。

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括透明基板，设置在所述透明基板上的公共电极线，交叉设置在所述透明基板上的栅线及数据线，设置在所述栅线及数据线限定的像素区域内的像素电极、公共电极和第一薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述栅线连接，所述第一源极与所述数据线连接，所述第一漏极与所述像素电极连接； 而且，所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极； 所述第二栅极与第η行栅线电连接，所述第η行栅线为除最后一行栅线之外的任一行栅线； 所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接； 所述第二源极与所述公共电极线电连接；其中，在所述阵列基板的一帧栅线扫描过程中，所述第η行栅线比所述第η+1行栅线先扫描。2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第η行栅线驱动的第二薄膜晶体管的个数与所述第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的个数相同； 所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括 所述第η行栅线驱动的每个所述第二薄膜晶体管的第二漏极一一对应地与第η+1行栅线驱动的每个第一薄膜晶体管对应的像素电极电连接。3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极电连接包括 所述第二漏极对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的第一漏极连接，或者对应的与第η+1行栅线驱动的第一薄膜晶体管的像素电极连接。4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括与所述公共电极线电连接的公共电极； 所述第二源极与所述公共电极线电连接包括所述第二源极与所述公共电极连接。5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极同层设置，所述公共电极包含多个第一条形电极，所述像素电极包含多个第二条形电极，所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。6.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极异层设置，其中位于上层的电极包含多个条形电极，位于下层的电极包含多个条形电极或为平板形。7.—种TFT-1XD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括 在透明基板上制作形成公共电极线，栅线及数据线，像素电极，公共电极，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述像素电极和所述公共电极在加电后形成多维电场；形成的所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极；形成的所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；形成的所述第二栅极与第η行栅线电连接，形成的所述第η行栅线为除最后一行栅线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王骁，曹昆，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：