薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法技术

本发明专利技术涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。公开了减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。所述方法包括：通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；淀积栅绝缘膜，并通过第二掩模工序形成包括半导体图案、源极和漏极以及数据线的第二导电图案；淀积第一钝化膜和第二钝化膜，并通过第三掩模工序形成穿过第一钝化膜和第二钝化膜并露出漏极的像素接触孔；通过第四掩模工序，形成包括公共电极和公共线的第三导电图案并同时形成与公共电极形成底切结构的第三钝化膜，并通过掀离工序艺形成包括像素电极的第四导电图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地，涉及减少 了工序数量的薄膜晶体管基板和制造该薄膜晶体管基板的方法。
技术介绍
液晶显示装置通过使用电场调整具有电介质各向异性的液晶的透光率来显示图 像。这种液晶显示装置包括液晶显示面板，其包括彼此相对地结合的薄膜晶体管基板和 滤色器基板；背光单元，其向液晶显示面板照射光；以及驱动电路单元，其驱动液晶显示面 板。薄膜晶体管基板包括在下基板上彼此交叉地形成的选通线和数据线，栅绝缘膜 被置于选通线与数据线之间；形成在交叉位置处的薄膜晶体管(TFT);像素电极，其通过接 触孔连接到TFT的漏极；以及应用于薄膜晶体管基板的下配向膜。滤色器基板包括用于实现颜色的滤色器、用于防止漏光的黑底、与像素电极形成 垂直电场的公共电极以及应用于滤色器基板以对液晶进行定向的上配向膜。液晶显示面板可按照扭曲向列(TN)模式形成，在该扭曲向列模式中，电极分别安 装在两个基板上，液晶指向矢被定向为扭曲90°，并通过向所述电极施加电压而被驱动。此 外，可使用共平面开关(IPS:1n-plane switching)模式或边缘场开关(FFS:fringe field switching)模式,在IPS模式中,两个电极形成在一个基板上,并且通过两个电极之间产生 的水平电场来调整液晶指向失，在FFS模式中，两个电极由透明导体形成，并两个电极之间 的间隔被减小，使得液晶分子被两个电极之间形成的边缘场操作。这里，制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法包括以下工序使用第一掩模形成栅 极；使用第二掩模形成半导体图案；使用第三掩模形成源极/漏极；使用第四掩模形成包括 像素接触孔和焊盘区的接触孔的第一钝化膜；使用第五掩模形成像素电极；使用第六掩模 形成包括像素接触孔和焊盘区的接触孔的第二钝化膜；以及使用第七掩模在第二钝化膜上 形成公共电极。如上所述，这种制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法至少需要7道掩模工 序,因此可导致加工成本和加工时间增加。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在一种，它们大致 上消除了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。本专利技术的目的在于提供一种减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体 管基板的方法。本专利技术的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分描述且将对于本领域普通 技术人员在研究下文后变得明显，或可以通过本专利技术的实践来了解。通过书面的说明书及 其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点，按照本专利技术的目的，作为具体和广义的描述，一种薄膜晶体管基板包括多条选通线；与所述多条选通线交叉的多条数据线；薄膜晶体管，所述薄 膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、 与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中栅 绝缘膜被置于所述半导体图案与所述栅极之间；第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述 薄膜晶体管，并且包括露出每一个所述薄膜晶体管的漏极的像素接触孔；像素电极，其连 接到所述漏极并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及公共电极，其与所述像素电极形 成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切 (undercut)结构提供的空间隔开。所述薄膜晶体管基板还可以包括连接到所述多条选通线的栅焊盘以及连接到所 述多条数据线的数据焊盘。所述栅焊盘中的每一个可以包括栅焊盘下电极，其连接到所述多条选通线；第 一栅接触孔至第四栅接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜以及所述栅绝缘 膜；以及栅焊盘上电极，其连接到所述栅焊盘下电极，所述栅焊盘上电极在与所述像素电极 相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述栅焊盘上电极与所述公共电极被 所述底切结构提供的空间隔开。所述数据焊盘中的每一个可以包括数据焊盘下电极，其连接到所述多条数据线； 第一数据接触孔至第三数据接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜；以及数 据焊盘上电极，其连接到所述数据焊盘下电极，所述数据焊盘上电极在与所述像素电极相 同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述数据焊盘上电极与所述公共电极被 所述底切结构提供的空间隔开。所述像素电极的厚度可以大于所述公共电极的厚度。所述第三钝化膜的宽度可以小于所述第二钝化膜的宽度。在本专利技术的另一方面，一种制造薄膜晶体管基板的方法包括通过第一掩模工序 在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；在具有所述第一导电图案的所述基板上 淀积栅绝缘膜，并且通过第二掩模工序在所述栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极和漏 极以及数据线的第二导电图案；在具有所述第二导电图案的所述基板上淀积第一钝化膜和 第二钝化膜，并且通过第三掩模工序形成穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜并露出所 述漏极的像素接触孔；通过第四掩模工序，在所述第一钝化膜和所述第二钝化膜上形成包 括公共电极和公共线的第三导电图案，同时形成与所述公共电极形成底切结构的第三钝化 膜，并且通过掀离工序形成包括像素电极的第四导电图案。所述第三导电图案和所述第四导电图案的形成可以包括在所述第一钝化膜和所 述第二钝化膜上顺序地淀积第一透明电极层、所述第三钝化膜和光刻胶；通过所述第四掩 模工序形成具有不同厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；利用所述第一光刻胶图案 和所述第二光刻胶图案，通过干法刻蚀工序对所述第三钝化膜进行构图；通过所述第一透 明电极层的湿法刻蚀工序，形成与所述第三钝化膜具有所述底切结构的所述公共电极；通 过灰化所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案，去除所述第二光刻胶图案并减小所述 第一光刻胶图案的厚度；通过干法刻蚀工序形成所述第三钝化膜与所述第一光刻胶图案的 底切结构以及所述第三钝化膜的凹槽；通过在所述第三钝化膜和所述第一光刻胶图案上淀 积第二透明导电层，并且通过所述掀离工序去除所述第一光刻胶图案和形成在所述第一光刻胶图案上的所述第二透明导电层，在所述第三钝化膜的凹槽内形成所述像素电极，。所述第一光刻胶图案与所述第三钝化膜之间可以形成空间。在所述掀离工序期间，剥离剂可以渗透到所述第一光刻胶图案与所述第三钝化膜 之间的空间中，因而将所述第一光刻胶图案和形成在所述第一光刻胶图案上的所述第二透 明电极层与所述第三钝化膜分开。所述方法还可以包括形成连接到所述选通线的栅焊盘，所述栅焊盘的形成可以包 括通过所述第一掩模工序，与所述栅极同时地形成具有与所述栅极相同的材料的栅焊盘 下电极；以及利用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案，通过刻蚀工序形成穿过所 述第一钝化膜至所述第三钝化膜以及所述栅绝缘膜的第一栅接触孔至第四栅接触孔，并且 与此同时，通过所述掀离工序，与所述像素电极同时地形成具有与所述像素电极相同的材 料的栅焊盘上电极。所述栅焊盘上电极与所述公共电极可以被所述底切结构提供的空间彼此隔开。所述方法还可包括形成连接到所述数据线的数据焊盘，所述数据焊盘的形成包 括通过所述第二掩模工序，与所述源极和所述漏极同时地形成具有与所述源极和所述漏 极相同的材料的数据焊盘下电极；以及利用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案， 通过刻蚀工序形成穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜的第一数据接触孔至第三数据 接触孔，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：多条选通线；与所述多条选通线交叉的多条数据线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中在所述半导体图案与所述栅极之间插入了栅绝缘膜；第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述薄膜晶体管，并且包括像素接触孔以露出所述薄膜晶体管中的每一个的漏极；像素电极，所述像素电极连接到所述漏极，并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及公共电极，所述公共电极与所述像素电极一起形成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切结构提供的空间隔开。

【技术特征摘要】
2011.10.06 KR 10-2011-01019591.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括 多条选通线； 与所述多条选通线交叉的多条数据线； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中在所述半导体图案与所述栅极之间插入了栅绝缘膜； 第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述薄膜晶体管，并且包括像素接触孔以露出所述薄膜晶体管中的每一个的漏极； 像素电极，所述像素电极连接到所述漏极，并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及公共电极，所述公共电极与所述像素电极一起形成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切结构提供的空间隔开。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括 栅焊盘，所述栅焊盘连接到所述多条选通线；以及 数据焊盘，所述数据焊盘连接到所述多条数据线。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述栅焊盘中的每一个包括 栅焊盘下电极，其连接到所述多条选通线； 第一栅接触孔至第四栅接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜以及所述栅绝缘膜；以及 栅焊盘上电极，其连接到所述栅焊盘下电极，在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述栅焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述数据焊盘中的每一个包括 数据焊盘下电极，其连接到所述多条数据线； 第一数据接触孔至第三数据接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜；以及 数据焊盘上电极，其连接到所述数据焊盘下电极，在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述数据焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述像素电极的厚度大于所述公共电极的厚度。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第三钝化膜的宽度小于所述第二钝化膜的宽度。7.—种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括 通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案； 在具有所述第一导电图案的所述基板上淀积栅绝缘膜，并且通过第二掩模工序在所述栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极和漏极以及数据线的第二导电图案；在具有所述第二导电图案的所述基板上淀积第一钝化膜和第二钝化膜，并且通过第三掩模工序形成穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜并露出所述漏极的像素接触孔；以及通过第四掩模工序，在所述第一钝化膜和所述第二钝化膜上形成包括公共电极和公共线的第三导电图案，同时形成与所述公共电极形成底切结构的第三钝化膜，并且通过掀离...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭喜荣，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
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