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本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。公开了减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。所述方法包括：通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；淀积栅绝缘膜，并通过第二掩模工序形成包括半导体图...
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