电光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电光装置及电子设备。在液晶装置等电光装置中能够充分确保保持电容、可显示高品质的图像。包括：电连接于栅电极（30g）的扫描线（3a）；电连接于数据线侧源极漏极区域（30s）的数据线（6a）；电连接于像素电极侧源极漏极区域（30d）的像素电极（27）；和电容元件（16），具有与电容线（3b）电连接的第1电容电极（16a）、与第1电容电极（16a）相对向设置的第2电容电极（16c）、被第1电容电极（16a）和第2电容电极（16c）夹持的电介质层（16b），在设有晶体管（30）、扫描线（3a）和数据线（6a）的层与设有像素电极（27）的层之间，第1电容电极（16a被电介质层（16b）及第2电容电极（16c）覆盖地配置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电光装置及电子设备。
技术介绍
作为上述电光装置，公知有按每个像素设置薄膜晶体管等开关元件的有源驱动型液晶装置。有源驱动型液晶装置在一对电极之间具有液晶层，按每个像素写入的图像信号被暂时保持在由该一对电极和液晶层构成的电容中。除此之外，按每个像素设置将该图像信号以电气方式保持预定期间的电容元件。例如在专利文献I中公开了如下内容将与像素电极连接的中继布线和隔着电介质层设于其上层的屏蔽层(shield layer)层叠配置，由此设置电容元件。专利文献1:日本特开2010 - 39212号公报但是，由于经由接触孔与像素电极连接的中继布线配置在屏蔽层的下层，因此不能用屏蔽层将中继布线完全覆盖。换言之，将中继布线用作电容布线时，存在不能有效利用电容布线的面积的问题。·
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而做出的，能够作为以下的实施方式或应用例而实现。[应用例I]本应用例的电光装置，其特征在于，包括晶体管，具有栅电极、第I源极漏极区域和第2源极漏极区域；电连接于所述栅电极的扫描线；电连接于所述第I源极漏极区域的数据线；电连接于所述第2源极漏极区域的像素电极；和电容元件，包括与电容线电连接的第I电容电极、与所述第I电容电极相对向设置的第2电容电极、以及被所述第I电容电极和所述第2电容电极夹持的电介质层，在设有所述晶体管、所述扫描线和所述数据线的层与设有所述像素电极的层之间，所述第I电容电极被所述电介质层及所述第2电容电极覆盖地配置。根据该结构，由于第I电容电极被电介质层及第2电容电极覆盖地配置，因此与以往那样仅在第I电容电极的上方配置电介质层及第2电容电极的情况相比，可以增大第I电容电极与电介质层及第2电容电极的重叠面积。即，能够利用第I电容电极的侧壁来增大面积。因此，能够比以往增大电容元件的电容。而且，能够有效利用电容电极的面积。[应用例2]在上述应用例的电光装置中，在方案I记载的电光装置中，优选在所述第2电容电极与所述像素电极之间形成有第I绝缘膜，经由设于所述第I绝缘膜的第I接触孔，所述第2电容电极和所述像素电极电连接，所述第I接触孔配置在俯视下与所述电容元件重叠的位置。根据该结构，由于在连接于第2源极漏极电极的像素电极与第2电容电极之间配置第I绝缘膜，因此即使将像素电极和第2电容电极经由第I接触孔连接，也能用第2电容电极覆盖第I电容电极地配置。因此，电容元件的电容面积不会变少，能够有效利用电容电极的面积，并且能够增大电容元件的电容。进而，能够防止第I接触孔的配置造成其他恶劣影响。[应用例3]在上述应用例的电光装置中，优选在所述第I电容电极与所述电容线之间设有第2绝缘膜，经由设于所述第2绝缘膜的第2接触孔，所述第I电容电极和所述电容线被连接，所述第2接触孔形成为俯视下与所述第I电容电极的大小大致重叠的大小。根据该结构，通过使第2接触孔的大小为与第I电容电极大致相同的大小(换言之，比其他的接触孔大)，由此可以增大电容电极的面积、厚度，可以增大电容元件的电容。[应用例4]在上述应用例的电光装置中，优选所述第I接触孔配置在俯视下不与所述第2接触孔重叠的位置。根据该结构，由于将第I接触孔的位置设置在俯视下不与第2接触孔重叠的位置，因此能够更稳定地进行第2电容电极和像素电极的连接。[应用例5]在上述应用例的电光装置中，优选所述电容元件设于俯视下所述扫描线与所述数据线的交叉部。根据该结构，由于在扫描线与数据线的交叉部设置电容元件，因此可以利用非开口区域的区域设置遮光性的电容元件，可以抑制开口率降低。[应用例6]在上述应用例的电光装 置中，优选所述电容元件设于俯视下与所述晶体管重叠的位置。根据该结构，由于在俯视下与晶体管重叠的区域设置电容元件，因此可以利用非开口区域的区域设置遮光性的电容元件，能够抑制开口率降低。[应用例7]本应用例的电子设备，其特征在于，具有上述的电光装置。根据该结构，由于具有上述的电光装置，因此可提供能够提高显示品质的电子设备。附图说明图1是表示作为第I实施方式所涉及的电光装置的液晶装置的结构的示意图，(a)是表示液晶装置的结构的示意俯视图，(b)是沿着(a)所示的液晶装置的H — H’线的示意首1J视图。图2是表示液晶装置的电气结构的等效电路图。图3是表示液晶装置中的像素的配置的示意俯视图。图4是表示液晶装置中的像素的结构的示意俯视图。图5是表示液晶装置中的像素的结构的示意俯视图。图6是表示液晶装置中的像素的结构的示意俯视图。图7是沿着图4 图6所示的像素的A — A’线的示意剖视图。图8是表示具有液晶装置的电子设备的(投影机)的结构的示意图。图9是表示作为第2实施方式的电光装置的液晶装置的构造的示意俯视图。图10是沿着图9的液晶装置的A — A’线的示意剖视图。附图标记说明3a…扫描线,3b…电容线，3c…中继电极,6a…数据线,6b…中继电极，10…兀件基板，11…第I基板，Ila…基底绝缘膜，Ilb…第I绝缘膜，Ilc…第2绝缘膜，Ild…层间绝缘膜，lie…作为第2绝缘膜的层间绝缘膜，Ilf…作为第I绝缘膜的层间绝缘膜，12…第2基板，14…密封材料，15…液晶层，16…电容兀件，16a…第I电容电极，16b…电介质层，16c…第2电容电极，18…遮光膜,20…对向基板,22…数据线驱动电路,24…扫描线驱动电路，25…检查电路,26…上下导通部，27…像素电极，28…取向膜,30…TFT (晶体管),30a…半导体层，30c…沟道区域，30d…作为第2源极漏极区域的像素电极侧源极漏极区域，30e、30f…接合区域，30g…栅电极，30s…作为第I源极漏极区域的数据线侧源极漏极区域，31…共用电极，32…取向膜，41…外部连接端子，51…数据线侧源极漏极电极，52…像素电极侧源极漏极电极，100、200…液晶装置,116…电容兀件，116a…第I电容电极，116b…电介质层，116c…第2电容电极，1000…投影型显示装置，1100…偏振照明装置，1101…灯单元，1102…积分透镜，1103…偏振转换元件，1104、1105…分色镜，1106、1107、1108…反射镜，1201、1202、1203、1204、1205…中继透镜，1206…十字分色棱镜，1207…投影透镜，1210、1220、1230…液晶光阀，1300...屏幕。具体实施例方式以下，按照附图说明将本专利技术具体化的实施方式。另外，为了使要说明的部分成为可认识的状态，将所使用的附图适当放大或缩小来显示。另外，在以下的方式中，例如记作“在基板上”时，是表示与基板之上接触地配置的情况，或隔着其他结构物而配置在基板之上的情况，或在基板之上一部分接触地配置、一部分隔着其他结构物配置的情况。在本实施方式，作为具有薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)作为像素的开关元件的电光装置，以有源矩阵型的液晶装置为例进行说明。该液晶装置例如可以优选用作后述的投影型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)。 第I实施方式电光装置的结构图1 (a)是表示作为电光装置的液晶装置的结构的示意俯视图。图1 (b)是沿着图1 (a)所示的液晶装置的H — H’线的示意剖视图。图2是表示液晶装置的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，包括：晶体管，具有栅电极、第1源极漏极区域和第2源极漏极区域；电连接于所述栅电极的扫描线；电连接于所述第1源极漏极区域的数据线；电连接于所述第2源极漏极区域的像素电极；和电容元件，包括与电容线电连接的第1电容电极、与所述第1电容电极相对向设置的第2电容电极、以及被所述第1电容电极和所述第2电容电极夹持的电介质层，在设有所述晶体管、所述扫描线和所述数据线的层与设有所述像素电极的层之间，所述第1电容电极被所述电介质层及所述第2电容电极覆盖地配置。

【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 212174/20111.一种电光装置,其特征在于,包括 晶体管，具有栅电极、第I源极漏极区域和第2源极漏极区域； 电连接于所述栅电极的扫描线； 电连接于所述第I源极漏极区域的数据线； 电连接于所述第2源极漏极区域的像素电极；和 电容元件，包括与电容线电连接的第I电容电极、与所述第I电容电极相对向设置的第2电容电极、以及被所述第I电容电极和所述第2电容电极夹持的电介质层， 在设有所述晶体管、所述扫描线和所述数据线的层与设有所述像素电极的层之间，所述第I电容电极被所述电介质层及所述第2电容电极覆盖地配置。2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于， 在所述第2电容电极与所述像素电极之间形成有第I绝缘膜， 经由设于所述第I绝缘膜的第I接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山田晋，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：