衬底的激光热处理中即时失效的快速检测制造技术

本发明专利技术公开了一种热处理系统（１０），该热处理系统包括以激光器波长发射光的激光阵列（３４），衬底支撑，设置在所述源和所述衬底支撑之间并且利用激光辐射源发射的光在衬底的衬底平面上形成直线光束的光学片（４８、５２、６２、６４、６６、７０），以及扫描装置，其用于实现所述直线光束在贯穿所述直线光束的纵轴的方向上相对于所述衬底的移动。该系统进一步包括包围所述光学片的壳体（６８），设置在所述壳体内侧用于感测环境光级别的光检测器（８１），连接至激光辐射源的电源（１００），以及控制器（９０），其管理所述电源并响应所述光检测器（８１），用于在所述光检测器的输出增加超过阈值环境级别时中断所述电源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及半导体衬底的热处理。更具体地，本专利技术涉及半导体衬底的激光热处理。
技术介绍
在硅和其它在硅晶圆或诸如用于显示器的玻璃平板的其他衬底上形成半导体集成电路的制造中需要热处理。所需的温度可从低于250℃的较低温度到高于1000℃、1200℃或甚至1400℃的范围，并且可用于诸如掺杂剂注入退火、结晶、氧化、氮化、硅化和化学气相沉积以及其它多种工艺。对于高级集成电路要求的极浅电路特征，在实现所需的热处理时非常需要降低总的热预算。该热预算可以被认为是处于获得期望的处理温度所需的高温下的总时间。晶圆需要保持在最高温度的时间可以非常短。快速热处理(RTP)采用辐射灯，其可非常快地打开和关闭以仅加热晶圆而不加热腔室的其它部分。采用非常短(约20ns)的激光脉冲的脉冲激光退火在仅加热表面层而不加热下层方面很有效，从而允许很短暂的上升和下降速率。在Jennings等人基于2002年12月18日递交的美国专利申请10/325,497的PCT/2003/00196966中描述了不同形式的最新研发方法，有时将其称为热通量激光退火或动态表面退火(DSA)，在此引入其全部内容作为参考。Ma本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于衬底热处理的装置，包括：以激光器波长发射光的激光辐射源；光学系统，其设置在所述源和衬底之间以接收来自所述源的用于衬底热处理的光，其中所述光学系统包括多个光学元件；用于在其中保持所述光学系统的壳体，其中所述激光 辐射在所述壳体内维持为预定级别，并且来自所述光学系统的至少一个光学元件的损坏导致所述壳体内的光辐射超过所述预定级别；光检测器，其设置于所述壳体内，用于通过检查所述电信号是否超过预定的基准级别而检测所述壳体内过量的激光辐射，并且在检测 到过量的激光辐射时产生控制信号；为所述激光辐射源产生功率的电源；以及基于来自所述光检测器...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：布鲁斯E亚当斯，迪安詹宁斯，阿伦M亨特，阿布拉什J马约尔，维吉帕里哈，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]