无掩模应用中指示衬底上故障的系统和方法技术方案

用于指示衬底上故障的方法和系统。本发明专利技术的方法包括以下步骤。确定数据是否包括至少一个可疑位。利用所述数据控制图案发生器。利用所述图案发生器使辐射束具有图案。将具有图案的辐射束中的特征投射到衬底的目标部分。将具有图案的辐射束中的一个或多个标记投射到所述衬底上，指示与至少一个可疑位相对应的目标部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术针对光图案形成装置及其使用方法。
技术介绍
图案形成装置用于使输入的光线具有图案。静态图案形成装置可以包括掩模母版或掩模。动态图案形成装置可以包括通过接收模拟或数字信号而产生图案的单独可控元件阵列。模拟或数字信号通过数据通路传送。用于控制动态图案形成装置使得其单独可控元件处于形成所需图案的正确状态的算法称为光栅化算法或光学光栅化算法。使用图案形成装置的环境实例可以是(但不限于)光刻设备、投影仪、投影显示设备等等。通过数据通路处理和传送大量用于控制动态图案形成装置的单独可控元件阵列的数据，这使得有可能在数据通路中的某些地方产生位错。这些位错可能导致由具有图案的光线曝光的图案中的差错。所以，需要一种方法和系统来检测数据通路中是否有位错存在。如果检测到位错，还应确定所述位错是否已导致已曝光图案中的差错。
技术实现思路
按照本专利技术的一个方面，提供一种方法，所述方法包括以下步骤。确定数据是否包括至少一个可疑位。利用所述数据来控制图案发生器。图案发生器使辐射束具有图案。将具有图案的辐射束中的特征投射到衬底的目标部分。将具有图案的辐射束中的一个或多个标记投射到衬底上，指示因一个或多个可疑位而导致的可能图案差错的位置。按照本专利技术的另一方面，提供一种系统，它包括控制模块、图案发生器和投射系统。控制模块检测数据是否包括至少一个可疑位并产生可疑位信息。图案发生器使辐射束具有图案。数据和可疑位信息用来控制图案发生器。投射系统将具有图案的辐射束投射到衬底的目标部分上。以下参阅附图对本专利技术的其他实施例、特征和优点以及本专利技术各种实施例的结构和操作进行详细说明。应理解，此”
技术实现思路
”代表本专利技术的一个或多个实施例和/或实例，但不是其全部实施例和/或实例，所以绝不应认为是限制本专利技术或所附权利要求书。附图说明包括在本文中并构成本说明书一部分的附解说明本专利技术，并和说明书一起用于解释本专利技术的原理，使本专业的技术人员能够制作并使用本专利技术。图1示出按照本专利技术实施例的示范光刻设备。图2示出按照本专利技术实施例的示范控制模块。图3示出按照本专利技术实施例的方法流程图。现参阅附图对本专利技术加以说明。在各图中，相同的标号表示相同或功能类似的元件。具体实施例方式I.概述虽然在本文中具体参考了光刻设备在集成电路制造中的应用，但应理解，本文所述的光刻设备可有其它应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、薄膜磁头、微型和大型射流装置等。本专利技术的方法和系统可以用来确定数据通路中的可疑位是否已导致衬底上曝光图案中的差错。本专利技术各方面的优点包括用户有较高的产量、较易于诊断以及用户对数据通路有较高的信心。“具体实施方式”分成六个小节。小节II公开在本文件中使用的词汇。小节III说明按照本专利技术实施例的示范光刻设备。小节IV说明按照本专利技术实施例的示范方法。小节V包括对本专利技术实施例优点的讨论。最后，在小节IV，讨论了结论意见。II.词汇本文中使用的词汇”晶片”或”管芯”可以认为分别和更通用的词语”衬底”或”目标部分”同义。本文称作的衬底可以在曝光前或曝光后在例如导轨(track)(通常将光刻胶层加到衬底上并显影已曝光光刻胶的工具)或计量或检验工具中进行加工处理。在适用处，本文公开的内容可以用于这些和其它的衬底加工工具。而且，例如为了创建多层IC，衬底可以加工不止一次，所以本文所用的词语衬底也可以指已含有多加工层的衬底。本文所用的词语”辐射”和”射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有的波长为365、248、193、157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(例如具有的波长在5-20nm的范围内)，以及粒子束，例如离子束和电子束。本文所采用的词语”单独可控元件阵列”应广义解释为能用于将具有图案的截面赋予输入辐射束的任何装置，以便在衬底的目标部分上创建所需图案。在这个意义上，也可以使用词语”光阀”和”空间光调制器”(SLM)。这些图案形成装置的实例将在下面讨论。本文中所用的词语”投射系统”应广义解释为涵盖各种类型的投射系统，包括适合于所使用的曝光辐射，或适合于其它因素(例如使用浸没流体或使用真空)的例如折射光学系统、反射光学系统以及反射折射光学系统。本文使用的词语”透镜”在任何时候都可以认为和更通用的词语”投射系统”同义。III.示范光刻设备图1为按照本专利技术实施例的光刻投影设备100的示意图。设备100包括辐射系统102、图案发生器104、投射系统108(“透镜”)和载物台106(例如衬底台)。以下是光刻设备100的工作概述。概述之后讨论光刻设备100的可供选择的实施例。在光刻设备100的概述和可供选择的实施例之后，对设备100中每个元件的详情和可供选择的 A.概述和可供选择的实施例辐射系统102可以用于提供辐射束110(例如UV辐射)。在此特定情况下，辐射系统102还包括辐射源112。在利用分束器118引导之后，射束110接着与图案发生器104相交。图案发生器104(例如可编程镜面阵列)可以用来将图案加到射束110上。射束110被图案发生器104反射后，穿过投射系统108，投射系统108将射束110聚焦到衬底114的目标部分120上。衬底由载物台106支撑，以下详述。在另一实施例中(未示出)，光刻设备100可以是具有两个(例如双级)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种多级设备中，附加台可以并行使用，即，准备步骤在一个或多个台上进行，而另一个或多个台用于曝光。光刻设备100还可以是以下类型，其中衬底浸没在折射率较高(如水)的液体(未示出)中，以便填满投射系统的最终元件和衬底之间的空间。浸没液体也可以加到光刻设备的其它空间中，例如衬底和投射系统的第一元件之间。浸没技术在业界众所周知可以用于增大投射系统的数值孔径。此外，光刻设备100还可以配备有流体处理单元，以便允许流体和衬底的被辐射部分之间的相互作用(例如选择性地将化学物附着到衬底上或选择性地修改衬底的表面结构)。虽然在本文中把按照本专利技术实施例的光刻设备描述为用于曝光衬底上的光刻胶，但是应理解，本专利技术不限于此应用，设备100可以用来投影用于无光刻胶光刻中的具有图案的射束110。B.辐射系统辐射系统102可以包括辐射源112、调节装置126和照射源(照射器)124。而且，照射器124一般会包括各种其它部件，例如积分器130和冷凝器132。辐射源112(例如，准分子激光器)能产生辐射束122。辐射束122或直接或经过调节装置126(例如射束扩展器)后被馈入照射源(照射器)124。调节装置128可以用来设定射束122中强度分布的外和/或内轴向广延(通常分别称为σ外和σ内)。这样，打到图案发生器104上的射束110在其截面就具有所需的均匀度和强度分布。应当指出，在图1中，辐射源112可以在光刻投影设备100的机壳中(例如，当辐射源112是汞灯时常是这种情况)。在不同的实施例中，辐射源112也可以远离光刻投影设备100。在这种情况下，应当把辐射束122引入设备100中(例如借助于适当的导向镜面)。当辐射源112是准分子激光器时，常是后面这种情况。应理解，这两种情况都应认为属于本专利技术的范围之内。照射源还可以包括各种类型的光学部件，包括折射、反射和反射折射光学部件，用于引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于指示衬底上故障的方法，所述方法包括：（ａ）确定数据是否包括至少一个可疑位；（ｂ）利用所述数据控制图案发生器；（ｃ）利用所述图案发生器使辐射束具有图案（ｄ）将所述具有图案的辐射束中的特征投射到衬底的目标部分上；以及（ｅ）将所述具有图案的辐射束中的一个或多个标记投射到所述衬底上，指示与在步骤（ａ）中所确定的至少一个可疑位相对应的所述目标部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：MHH霍克斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]