【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件制造领域，特别是涉及光刻工艺中采用的对准标记以及该对准标记在掩模板和半导体晶片上的定位。
技术介绍
光刻技术是大规模集成电路制造技术的基础，其很大程度上决定了集成电路的集成度。所谓光刻是通过曝光将掩模板上的图案转印到涂有光刻胶的晶片上，显影后掩模板上的图案出现在晶片上。光刻工艺中至为关键的步骤是将掩模板与晶片对准。在集成电路的制造过程中， 通常需要在晶片上曝光几层乃至几十层的掩模图案来形成完整的电路结构。在多次光刻中，除了第一次光刻之外，其余次光刻在曝光前都需要将用于该次光刻的掩模板与晶片上已曝光的第一层图案或者前一层或几层的图案精确对准。光刻的套准精度控制决定了集成电路的复杂度和功能密度。目前，光刻技术中的对准方式主要有两种，即零位对准方式和划线槽对准方式。在零位对准方式中，诸如XPA(扩展主标记,extended primary mark)的对准标记通常只设置在晶片的第一层图案中，所有后续的层都与该第一层对准。零位对准标记通常形成在图案的边缘位置处。然而，在具有多层电路结构的器件中，金属层或者钝化层通常会大大削弱零位对准标记的信号强度，使...
【技术保护点】
一种光刻对准标记，包括：沿第一方向相互平行设置的多个第一对准栅条；和沿与所述第一方向垂直的第二方向相互平行设置的多个第二对准栅条，其中，所述多个第一对准栅条中的每一个由预定个数的均匀间隔开的第一精细对准栅条构成，并且所述多个第二对准栅条中的每一个由所述预定个数的均匀间隔开的第二精细对准栅条构成。
【技术特征摘要】
1.一种光刻对准标记，包括 沿第一方向相互平行设置的多个第一对准栅条；和 沿与所述第一方向垂直的第二方向相互平行设置的多个第二对准栅条， 其中，所述多个第一对准栅条中的每一个由预定个数的均匀间隔开的第一精细对准栅条构成，并且所述多个第二对准栅条中的每一个由所述预定个数的均匀间隔开的第二精细对准栅条构成。2.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为3个。3.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为2个。4.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为4个。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条的宽度与第一精细对准栅条间的间隔的宽度相等，并且所述第二精细对准栅条的宽度与第二精细对准栅条间的间隔的宽度相等。6.根据权利要求5所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条的宽度为8μ m，并且所述第二对准栅条的宽度为8 μ m。7.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述多个第一对准栅条均匀地间隔开，并且所述多个第二对准栅条均匀地间隔开。8.根据权利要求7所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔与所述第二对准栅条间的间隔的宽度相等。9.根据权利要求8所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔的宽度均为8 μ m或者均为9. 6 μ m。10.根据权利要求7所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔与所述第二对准栅条间的间隔的宽度不等。11.根据权利要求10所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8 μ m，而另一个的宽度为9. 6μηι。12.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述多个第一对准栅条分为两组，其中每一组中的第一对准栅条都均匀地间隔开，并且第一组第一对准栅条间的间隔与第二组第一对准栅条间的间隔的宽度不等。13.根据权利要求12所述的光刻对准标记，其中，所述第一组第一对准栅条间的间隔与第二组第一对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8 μ m,而另一个的宽度为9. 6 μ m。14.根据权利要求1、12或13所述的光刻对准标记，其中，所述多个第二对准栅条分为两组，其中每一组中的第二对准栅条都均匀地间隔开，并且第一组第二对准栅条间的间隔与第二组第二对准栅条间的间隔的宽度不等。15.根据权利要求14所述的光刻对准标记，其中，所述第一组第二对准栅条间的间隔与第二组第二对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8 μ m,而另一个的宽度为9. 6 μ m。16.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条和所述第二精细对准栅条由金属形成，并且所述第一精细对准栅条间的间隔和所述第二精细对准栅条间的间隔由氧化物形成，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔也由所述氧化物形成。17.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条和所述第二精细对准栅条...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓松，严轶博，卢子轩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。