本发明专利技术公开了一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，包括：设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500；依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。该方法在对显影后的光刻胶进行对准时，能减少对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作
，更具体的说是涉及。
技术介绍
随着集成电路的发展，集成电路的制作工艺也越来也精细。在半导体制作工艺中，当硅片表面涂布光刻胶后，为了将掩膜版上的图像转移到光刻胶上，需要对光刻胶进行定位、曝光以及显影，整个过程中的每个工艺步骤之后都会进行相应的检验，其中，对光刻胶显影后的检测可以称为显影后检查(ADI, After Developing Inspection)。显影后检查一般包括缺陷检查、线宽测量和对准测量等操作。其中对准操作是对显影后的光刻胶层的图形规则程度的检查，各层图像的套准检查等。但是，在对显影后的光刻胶层进行对准时所用的光源很容易对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤，进而影响后续的制作工艺，使得制作出的集成电路板质量较差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供，在对显影后的光刻胶进行对准时，能减少对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案，包括设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500 ；依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。优选的，将所述相对光强设定为150。优选的，设定的光源参数还包括将所述对准检测所用光源的曝光剂量设定为大于 O. 03J/cm2 且小于 O. 06J/cm2。优选的，将所述对准检测所用的光源的曝光剂量设定为O. 05J/cm2。 优选的，所述对准所用的光源为紫外光源。优选的，所述紫外光源为准分子激光。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开提供了，将对显影后的光刻胶层进行对准检测所用的相对光强设定为小于500，通过降低对准检测所用光源的光强来降低对显影后的光刻胶层的损伤，进而提高了集成电路板的质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图I为本专利技术一个实施例的流程示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中，对完成显影后的光刻胶层进行对准的过程中，经常会对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤。专利技术人经研究发现，现有技术中在对显影后的光刻胶层进行对准的过程中所用的光源与进行曝光时所用的I线光源的光强能量很接近，现有技术中进行对准检测时，所用的光源的相对光强一般均大于或等于500。而在该相对光强下，对准检测所用光源的光强较大很容易损伤显影后的光刻胶层，而适当的降低对准检测的光源的光强并不会降低对准检测的准确性，但却能够避免对显影后光刻胶层的损伤，因此专利技术人降低对准检测所用的光源的相对光强，进而降低了光源的光强，避免了对准检测过程中对显影后的光刻胶层的损伤。参见图1，为本专利技术一个实施例的流程示意图，本实施例的方法包括步骤101 :设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500 ；在半导体工艺中，在对硅片涂布光刻胶并前烘后，将带胶硅片与投影掩模版进行对准，然后进行曝光和显影以便将掩膜版上的图形复制到带胶硅片上。显影完成之后，为了检测显影后的光刻胶层上的图形的规则程度，需要进行显影后检查。显影后检查需要借助紫外光源对显影后的光刻胶层进行检查，为了检测出光刻胶层上图形是否规则、是否满足要求就需要对显影后的光刻胶层进行对准检测。对准检测过程前需要设定对准检测所用的光源参数，如光源的相对光强、光源的曝光能量以及透镜的分光参数等。而光源参数中相对光强是反映光源强度的一个重要指标，而现有技术中在显影后检查时进行对准检测所用光源的相对光强均大于或等于500，而在相对光强大于或等于500时，对准检测时所用的光源的光强与利用I线曝光的光源强度很接近，因此在进行对准检测时，很容易对显影后的光刻胶层的光刻胶造成损伤。为了避免对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤，可以适当降低显影后检查中对准检测时所用光源的相对光强，而降低光源的相对光强可以在既不损伤光刻胶的同时又完成对准检测的操作。步骤102 :依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。在设定了光源参数，并将相对光强设定在500以下，就可以对显影后的光刻胶层进行对准检测。其中，设定对准检测所用的相对光强可以小于500，但并不是相对光强与500的差距越大越好，还需要满足对准检测过程中所需的光强，可以将该相对光强设定为120-180的范围内，经过试验分析，当相对光强设定为150，对准检测的精度最高，且在相对光强为150时，对准检测的过程中对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤的可能性最小。在显影后检查的对准检测过程中，可能需要利用对准光标对显影后的光刻胶层进行图形规则程度检测，其中对准光标也就是对准检测过程中，在光刻胶层上标识显示对准位置的标志，与计算机中的光标相似，但是该对准光标一般为十字形光标。当降低对准检测过程中的相对光强时，对准检测所用光源的光强会变弱，因此对准检测过程中检测的灵敏度会相应的变弱，或者说，对准光标的对准能力以及灵敏度会降低，为了不影响检测的灵敏度，专利技术人经研究发现适当的提高光源的曝光剂量，可以提高对准检测的灵敏度，可以将光源的曝光剂量设定为大于O. 03J/cm2且小于O. 06J/cm2。在现有技术中，显影后检查中对准检测所用光源的曝光剂量一般为O. 03J/cm2，但是在这种曝光剂量下，对准检测的灵敏度会很低，为了提高灵敏度可以将光源的曝光剂量提高，经验证当光源的曝光剂量为O. 05J/cm2时，灵敏度较高。进一步的，为了保证对准检测过程中的精确度以及灵敏度，可以将对准检测的中的光源的相对光强设定为150，同时将曝光剂量设定为O. 05J/cm2。需要说明的是，在显影后检查中对准检测所用的光源为紫外光源，具体的紫外光源可以为准分子激光，当然可以为其他的紫外光源。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，其特征在于，包括：设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500；依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。
【技术特征摘要】
1.一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，其特征在于，包括 设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500 ； 依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。2.根据权利要求I所述的对准方法，其特征在于，将所述相对光强设定为150。3.根据权利要求I或2任一项所述的对准方法，其特征在于，设定...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾英，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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