一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法技术

本发明专利技术公开一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法，通过测试不同偏压条件下电池器件的量子效率值，与标准电池器件的量子效率值对比，定性判断硅基薄膜电池P、I、N各层的性能优劣，本发明专利技术的量子效率测试与常规的量子效率测试不同，本发明专利技术是在不同的偏压条件下进行的测试，通过这一手段可以有效地对单结PIN非晶硅（或微晶硅）电池进行快速准确的性能评价，并找出电池器件性能低下的症结所在，进而有针对性的加以改进，减少现有常规评价中繁多的测试项目，节省工业生产中的时间，是工业化生产过程中较为理想的评价方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基薄膜太阳能电池
，特别涉及一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法。
技术介绍
硅基薄膜太阳能电池中的光电转换层为掺杂非晶硅(或微晶硅)与本征非晶硅(或微晶硅)薄膜组成的PIN结构，其总厚度不足I微米，因而在制备过程中要求极为严格，任何工艺过程中引入的微小缺陷都可能会给PIN结造成致命的损害，影响其光电转换性能。对于由三层薄膜构成的PIN结的各层性能评价，由于受膜层厚度小的限制，很难准确地判定造成PIN结性能低下的具体原因，人们需要进行多项膜层及器件的性能测试，包括评价电池器件PIN结优劣的电池1-V曲线测试、评价P、1、N各层膜厚及界面性能的SEM测试或TEM测试，同时还需要结合量子效率测试(QE)，需要测试的项目众多，耗费时间过长。而对于工业化中的连续生产过程，人们需要快速准确地对出现性能指标下降的电池器件进行评价，进而找出症结所在，并及时加以改进，从而不会影响生产的持续进行，这就需要一种方便、准确、有效的测试手段来评价电池器件性能，并提出改进的措施，为工业化的连续生产服务。
技术实现思路
针对现有硅基薄膜太阳能电池PIN各层性能测试方法中测试项目繁多，耗费本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法，其特征在于，通过测试不同偏压条件下电池器件的量子效率值，与标准电池器件的量子效率值对比，定性判断硅基薄膜电池P、I、N各层的性能优劣，具体步骤如下：（1）对电池器件P层性能的评价（a）P层厚度的评价在390～810nm的波长范围对待测电池器件进行量子效率测试，波长变化的步长为5nm，记录在波长为405nm处的量子效率值QE405；然后与标准电池器件的量子效率值QE标405比较，如果QE405比QE标405小，且差值大于QE标405的3%，说明该电池器件P层过厚；如果QE405比QE标405大，且差值大于QE标405的3%，说明该电池器件P层过薄；（b）...

【技术特征摘要】
1.一种硅基薄膜电池PIN各层性能的评价方法，其特征在于，通过测试不同偏压条件下电池器件的量子效率值，与标准电池器件的量子效率值对比，定性判断硅基薄膜电池P、1、N各层的性能优劣，具体步骤如下(1)对电池器件P层性能的评价(a)P层厚度的评价在390 SlOnm的波长范围对待测电池器件进行量子效率测试，波长变化的步长为 5nm,记录在波长为405nm处的量子效率值QE4tl5 ;然后与标准电池器件的量子效率值QEig4tl5 比较，如果QE4tl5比QEig4tl5小，且差值大于QEig4tl5的3%，说明该电池器件P层过厚；如果QE4tl5 比QEig405大，且差值大于QEig 405的3%，说明该电池器件P层过薄；(b)P层与I层界面的性能评价在390 SlOnm的波长范围对待测电池器件进行量子效率的测试，波长变化的步长为5nm,记录在波长为405nm处的量子效率值QE4tl5 ;将待测电池器件加反向偏压测试量子效率，记录有反向偏压时，在波长为405nm处的量子效率值QE_4Q5，比较QE4ci5与QE_4(I5，如果 QE_405比QE4tl5大，且差值小于QE4tl5的5%，说明该电池器件的P层与I层界面性能优良；如果 QE_405比QE4tl5大的差值大于QE4tl5的5%，说明该电池器件的P层与I层界面...

【专利技术属性】
技术研发人员：马立云，崔介东，王芸，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：