一种加速的PID测试方法技术

技术编号:8531479 阅读:222 留言:0更新日期:2013-04-04 13:34
本发明专利技术提供了一种加速的PID测试方法,步骤为:(1)清洁组件表面;(2)在组件表面撒上少量的液体;(3)把导电薄膜覆盖在组件表面,保证导电薄膜与组件良好接触;(4)把组件放入环境实验箱内,将组件正负极短路,并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外,通过环境实验箱把组件温度升高到60℃以上;(5)将导电薄膜接地,在组件接线端加上负电压,电压大于-600V,然后进行PID测试。本发明专利技术通过改进测试条件,大大降低PID测试时间,从几天缩短到几个小时,缩短实验周期,提高实验效率。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能电池领域,特别涉及一种太阳能电池组件可靠性测试的方法。
技术介绍
在光伏系统中,出于安全考虑,组件的铝边框通常是接地的,这样,电池端就会处于一个负压的状态。在这个负压的驱动下,电流从接地端通过铝边框,玻璃和EVA流向电池,在这个过程中,大量的正电荷会积累在电池表面,导致电池失效,这就是组件在高压下的衰减(potential induced degradation),简称PID。随着光伏技术的发展,在大型光伏系统串联在一起的电池板数量越来越多,在工作状态下,部分组件就会处于高压状态,通常能 到达600到1000V,这样,PID问题就变得越来越重要。对于电池板的PID测试,目前业界使用的方法通常在高湿度下进行,利用组件表面的水膜导电以在组件表面形成等电势面,但是由于水膜的导电性较差,测试需要较长的时间。这不利于缩短实验周期,提高实验效率;而且造成环境试验箱以及人力等资源的浪费。
技术实现思路
专利技术目的是针对现有技术存在的不足,提供一种加速的PID测试方法。技术方案为实现上述目的,本专利技术提供了一种加速的PID测试方法,该方法的具体步骤如下(1)把组件平放清洁组件表面,去掉组件表面的灰尘等颗粒;(2)在组件表面撒上少量的液体,并用无尘布把液体擦拭均匀;(3)把导电薄膜覆盖在组件表面,通过这种液体的吸附使导电薄膜与组件表面形成良好的接触,排除导电薄膜与组件之间的气泡,以保证导电薄膜与组件良好接触;(4)把组件放入环境实验箱内,将组件正负极短路,并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外,通过环境实验箱把组件温度升高到60°C以上;(5)将导电薄膜接地,在组件接线端加上负电压,电压大于-600V,然后进行PID测试。由于组件PID与积累在电池表面的电荷量成正比,本专利技术所述方法中使用环境实验箱把组件的温度升高,由于玻璃和EVA的电导率随着温度升高而升高,使得在一定电压下从铝边框流向电池的电流大大增加;再则,使用导电薄膜覆盖组件表面取代传统测试中的水膜,由于导电薄膜的电导率远远大于水膜的电导率,这也使得在一定电压下从铝边框流向电池的电流大大增加,电池表面在短时间内积累大量电荷,进而已达到了加速PID测试的目的。本专利技术中为保证组件与导电薄膜的良好接触,所述导电薄膜厚度为5 μ m-200 μ m。本专利技术中导电薄膜优选采用铝箔。本专利技术中所述步骤(2)中液体优选为水。有益效果本专利技术所述的一种加速的PID测试方法,与现有技术相比,具有以下优本专利技术通过改进测试条件,大大降低PID测试时间,从几天缩短到几个小时,缩短实验周期,提闻实验效率。具体实施方式·下面结合具体实施例,进一步阐明本专利技术,本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施,应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。实施例一种加速的PID测试方法,具体步骤如下(1)清洁组件表面,去掉组件表面的灰尘等颗粒;(2)在组件表面撒上少量的水,并用无尘布把水擦拭均匀;(3)用铝箔覆盖在组件表面,排除铝箔与组件之间的气泡,以保证铝箔与组件良好接触,为保证组件与铝箔的良好接触,铝箔厚度为150 μ m ;(4)把组件搬到环境实验箱内,把组件正负极短路,并从铝箔与组件接线端引出导线到环境实验箱外,通过环境实验箱把组件温度升高,为获得较大的漏电流,把组件温度升高到65 0C ;(5)将铝箔接地,在组件接线端加上负电压,负电压为-400V,然后开始PID测试。本实施例所述方法大大缩短了 PID测试周期,由常规PID测试的48-168小时缩短到半小时,本实施例所述方法可以达到同等测试效果,提高了实验效率,降低测试中人力物力的消耗。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加速的PID测试方法,其特征在于:该方法的具体步骤如下:(1)把组件平放清洁组件表面,去掉组件表面的灰尘等颗粒;(2)在组件表面撒上少量的液体,并用无尘布把液体擦拭均匀;(3)用导电薄膜覆盖在组件表面,通过这种液体的吸附使导电薄膜与组件表面形成良好的接触,排除导电薄膜与组件之间的气泡,以保证导电薄膜与组件良好接触;(4)把组件放入环境实验箱内,将组件正负极短路,并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验箱外,通过环境实验箱把组件温度升高到60℃以上;(5)将导电薄膜接地,在组件接线端加上负电压,电压大于?600V,然后进行PID测试。

【技术特征摘要】
1.一种加速的PID测试方法,其特征在于该方法的具体步骤如下(1)把组件平放清洁组件表面,去掉组件表面的灰尘等颗粒;(2)在组件表面撒上少量的液体,并用无尘布把液体擦拭均匀;(3)用导电薄膜覆盖在组件表面,通过这种液体的吸附使导电薄膜与组件表面形成良好的接触,排除导电薄膜与组件之间的气泡,以保证导电薄膜与组件良好接触;(4)把组件放入环境实验箱内,将组件正负极短路,并从导电薄膜与组件接线端引出导线到环境实验...

【专利技术属性】
技术研发人员:任常瑞夏正月许小明张斌邢国强
申请(专利权)人:奥特斯维能源太仓有限公司
类型:发明
国别省市:

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