【技术实现步骤摘要】
杯芳烃化合物和包含该杯芳烃化合物的抗蚀剂组合物相关申请的交叉参考本申请是于2011年9月23日提交的美国临时申请第61/538，672号的非临时申请，其内容在此全部引入并作参考。
技术介绍
用于先进一代微光刻(即，超出193nm浸没式光刻以及进入到下一代光学例如电子束、X射线和在很短的13. 4nm波长工作的极紫外光刻)的设计原则趋向于越来越小的尺寸，例如30nm及以下。通常，焦深(DOF)随着因数值孔径(NA)变大而变大的分辨率而必然会减小，且从而抗蚀剂厚度也会减小以适应越来越小的特征尺寸。随着线宽的变窄和抗蚀剂的变薄，一致性问题，例如线边缘粗糙度(LER)和分辨率，在限制光致抗蚀剂的表现和效能方面起到越来越重要的作用。这些现象在半导体设备的制造中是人们所感兴趣的，例如，过度的LER可以导致在例如晶体管和栅构造中低劣蚀刻和缺乏线宽控制，会潜在地造成电路短接和信号延迟。由于一般用于制备EUV光致抗蚀剂的聚合物材料的回转半径比所述LER要求的(即，小于3nm)大得多，当浇铸形成非晶薄膜时通常被称作分子玻璃的小的、离散的和定义完善的分子已经被认为是发展EUV光致抗蚀剂平台的...
【技术保护点】
一种分子玻璃化合物，其包含：A)式(I)的芳族化合物与式(II)的多环或稠合多环芳香醛的四聚反应产物：C6R1x(OR2)y????(I)其中R1为H、F、C1?20烷基、C1?20卤烷基、C6?20芳基、C6?20卤芳基、C7?20芳烷基、或C7?20卤代芳烷基，R2为H、C1?20烷基、C1?20卤烷基，x为6?y且y为2或3，至少一个OR2基团为羟基，并且至少两个OR2基团是彼此处于间位的；Ar1?CHO????(II)其中，Ar1是取代的、卤取代的或非取代的C4?20杂环含芳族基团的基团，或取代的、卤取代的或非取代的C8?20稠合多环芳族部分，和B)酸可除去保护基团...
【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6721.一种分子玻璃化合物，其包含 A)式(I)的芳族化合物与式(II)的多环或稠合多环芳香醛的四聚反应产物C6R1x(OR2)y (I) 其中R1为H、F、C1^20烷基、CV2tl卤烷基、C6_2(l芳基、C6_2(l卤芳基、C7_2(l芳烷基、或C7_2Q卤代芳烷基，R2为HX1^烷基、C1^卤烷基，X为6-y且y为2或3，至少一个OR2基团为羟基，并且至少两个OR2基团是彼此处于间位的； Ar1-CHO (II) 其中，Ar1是取代的、卤取代的或非取代的C4_2(l杂环含芳族基团的基团，或取代的、卤取代的或非取代的C8_2(l稠合多环芳族部分，和 B)酸可除去保护基团，其作为与芳族化合物的羟基的加合物、与所述多环或稠合多环芳香醛的羟基的加合物、或与包括以上至少之一的组合的加合物。2.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中，(I)式的所述芳族化合物是间苯二酚、邻苯三酚、3-甲氧基苯酚或3-乙氧基苯酚。3.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中式(II)中的Ar1为C8,芳基、C8,杂芳基、C8,卤代芳基、C8,杂卤代芳基、C8,芳烷基、或者c7_2(l卤代芳烷基。4.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中所述多环或稠合多环芳香醛具有结构式(III)或(IV)5.根据权利要求1所述的分子玻璃化合物，其中，所述酸可除去保护基团是乙烯基醚的加合物、叔烷基酯的加合物、叔烷基羰基的加合物、或者包括以上至少之一的组合的加合物。6.根据权利要求1所述的分子...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·简恩，D·P·格林，B·C·贝利，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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