磁传感器装置制造方法及图纸

通过在输送纸币（5）的中空部（2）的壁面设置将不同极相向配置的第一磁铁（6）和第二磁铁（7），从而在中空部（2）形成在磁铁的相向方向的磁场分量和纸币（5）的输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场。在纸币（5）与第一磁铁（6）之间设置AMR元件（10）。AMR元件（10）被多层基板包围并且被树脂包覆。AMR元件（10）设置在上述输送方向的梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中。纸币（5）在梯度磁场的强磁场强度区域中通过。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对形成于纸币等的被感测物的微小磁性图案进行检测的磁传感器装置。
技术介绍
磁传感器装置是为了对形成于纸币的磁性图案等的微小磁性图案进行检测而被使用的。在磁传感器装置中，有使用具有电阻值根据所施加的磁场的强度而发生变化的特性的磁阻元件的磁传感器装置。在纸币等的纸页状介质中包含的磁性图案的剩余磁化弱。因此，为了检测磁性图案，必须将磁阻效应元件设置在磁场强的环境中，进而在磁阻效应元件的附近输送纸币。可是，在非接触型的磁传感器装置中，将被感测物与磁阻效应元件分离地配置。因此，存在磁阻效应元件的电阻值的变化量小、包含在被感测物中的磁性图案的检测灵敏度低的问题。此外，在现有的磁传感器装置中，存在由于磁传感器装置的组装误差或被感测物的通路位置的偏差导致检测灵敏度偏差的问题。在专利文献I中公开了使被感测物的检测灵敏度提高的技术。根据专利文献I中公开的技术，磁传感器装置由分别具备高电位侧磁阻元件和低电位侧磁阻元件的2个磁传感器构成。2个磁传感器以一方的高电位侧磁阻元件与另一方的低电位侧磁阻元件相面对的方式相对地配置，以输出反转信号的方式进行接线。而且，对从各磁传感器输出的信号以放大器进行差动放大。其结果是，在各磁传感器的输出信号中，同相噪声分量被除去，信号分量被放大，S/N比变大。此外，在专利文献2中，公开了通过在保护壳体的表面使被感测物压接移动而使被感测物的通路位置的偏差小的磁传感器装置。在该磁传感器装置中，为了露出磁阻元件芯片的引线，使用形成有露出引线的绝缘膜。绝缘膜的露出引线在除去了磁阻元件芯片面上的绝缘层的器件孔内与磁阻元件芯片的电极连接。此外，为了保护磁阻元件芯片、露出引线，设置有保护壳体。为了使磁阻元件芯片和保护壳体绝缘，在磁阻元件芯片与保护壳体之间形成空气间隙(air gap)ο现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2001 - 21631号公报； 专利文献2 :日本特开平8 - 86848号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 可是，在专利文献I所公开的磁传感器装置中，需要隔着被感测物相向配置的2个磁传感器。此外，为了改善从磁传感器输出的信号的S/N比并且使被感测物的检测灵敏度提高，需要对各磁传感器的输出信号进行差动放大的差动放大电路。此外在专利文献I中，为了使被感测物的检测灵敏度提高，设置有使被感测物的输送路径的磁场强度提高的偏置磁铁，但是被感测物在与半导体磁阻效应元件相比更远离偏置磁铁的位置通过。由此，由被感测物产生的磁场强度的变化小，不能谋求磁传感器的高输出化。此外，在专利文献2中，在磁阻元件芯片的电路整体形成了绝缘层之后，为了对磁阻元件芯片的电极和露出引线进行连接，需要从磁阻元件芯片除去绝缘层的工序。因此，制造工序变得复杂。此外，通过形成空气间隙，从而配置在磁传感器装置的外侧(保护壳体的外侧)的被检测物与磁阻元件芯片之间的距离变大。因此，产生被感测物的检测灵敏度降低的问题。本专利技术正是鉴于上述事项而完成的，其目的在于提供一种磁传感器装置，即使具有磁性图案的被感测物与磁阻效应元件分离，也灵敏度良好地检测出被感测物的磁性图案。此外，本专利技术的另一目的在于提供一种高灵敏度的非接触型磁传感器装置。用于解决课题的方案 为了实现上述目的，本专利技术的第一观点的磁传感器装置具备 框体，具备作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝； 第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间在所述输送方向形成连续的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物与所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中，所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。本专利技术的第二观点的磁传感器装置具备 框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝；第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在所述输送方向上的所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中， 所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。本专利技术的第三观点的磁传感器装置具备 框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝；第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在如下区域中，即所述梯度磁场在所述输送方向的磁场分量为零点附近的强度，并且所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强度的区域，所述被感测物通过所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强度的区域。本专利技术的第四观点的磁传感器装置具备 框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.30 JP 2010-172367;2010.11.16 JP 2010-256021.一种磁传感器装置，其中，具备 框体，具备作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝； 第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间在所述输送方向形成连续的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物与所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中，所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。2.一种磁传感器装置，其中，具备 框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝； 第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在所述输送方向上的所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中， 所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。3.—种磁传感器装置，其中，具备框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝； 第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极； 第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场； 磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化； 多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件； 电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及 树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元， 所述磁阻效应元件设置在如下区域中，即所述梯度磁场在所述输送方向的磁场分量为零点附近的强度，并且所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强度的区域， 所述被感测物通过所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强...

【专利技术属性】
技术研发人员：尾込智和，白花良治，庄司俊明，武舎武史，井上甚，冈田正明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：