磁传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种磁传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的若干个导电条；其中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐。这样，在本实用新型专利技术中导电条和磁阻条不存在重叠偏差问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本技术涉及磁传感器，特别涉及一种磁传感器。【
技术介绍
】目前磁传感器已经应用非常普遍。图1a和Ib示意出了现有的AMR (AnisotropicMagneto Resistive)磁传感器的结构示意图，其中图1b为沿图1a中的A-A线的剖视示意图。如图1a和Ib所示，所述磁传感器包括基底110、形成于基底上的多个磁阻条120、形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条130。图2a至图2e示意图出了图1a和图1b所示的。所述制造方法包括:步骤1、提供个基底110，该基底可以是半导体圆片，如图2a所不。步骤2、在施加外部磁场的情况下，在基底上沉积磁性材料形成磁阻层121，如图2b所示。步骤3、光刻所述磁阻层121以使得所述磁阻层形成第一预定义图形，该第一预定义图形包括有若干磁阻条120，如图2c所示。步骤4、在所述第一预定图形的磁阻层上方沉积导电材料形成导电层131，如图2d所示。步骤5、光刻所述导电层131以使得所述导电层形成第二预定义图形，该第二预定义图形包括形成于每个磁阻条120上并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条130，如图2e所示。上述制造方法有如下两个缺点:第一、由于在形成磁阻层121和形成导电层131之间有存在有光刻磁阻层121的步骤，这样导致磁阻层121上表层在空气中被氧化，为了使得导电条130和磁阻条120之间有良好的欧姆接触，因此会增加一个刻蚀磁阻条上的氧化层的步骤，该步骤很难控制，刻蚀太多可能会损伤磁阻条120，刻蚀太少可能未将所有氧化层都刻蚀掉；第二、由于是先光刻形成磁阻条，之后光刻形成导电条，这样势必会导致重叠偏差，如图1a所示的，导电条130的两端会突出所述磁阻条120的侧边，这样会影响到产品的性能。因此，有必要提出改进的磁传感器，以克服上述问题。【
技术实现思路
】本技术的目的之一在于提供一种改进的磁传感器，其可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。根据本技术的一个方面，本技术提供一种磁传感器，其包括:基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的相互平行的若干个导电条；其中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐。与现有技术相比，本技术中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边是在同一次光刻中形成，因此他们自动对齐，这样可以解决导电条和磁阻条的重叠偏差问题。【【附图说明】】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:图1a和Ib示出了现有的磁传感器的结构示意图，其中图1b为沿图1a中的A-A线的剖视示意图；图2a至图2e示出了图1a和图1b所示的中各步骤得到的产品的结构不意图；图3a至图3f示出了本技术中的中各步骤得到的产品的结构示意图；图4示意出了本技术中的在一个实施例中的流程示意图。【【具体实施方式】】为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连，间接电性相连是指经由另外一个器件或电路电性相连。如图4所示，本技术提出了一种改进的400。图3a至图3f示出了本技术中的400中各步骤得到的产品的结构示意图。下面结合图3a-3f和图4，来介绍一下本技术中的400。所述400包括如下步骤。步骤410，提供个基底210，如图3a所不。该基底可以是半导体圆片。步骤420，在施加外部磁场的情况下，在所述基底210上沉积磁阻材料形成磁阻层221，如图3b所示。所述磁阻层的沉积厚度约为lO-lOOnm，所述磁性材料包括钽Ta和镍铁NiFe。在一个实施例中，先形成第一 Ta层，再形成NiFe层，最后形成第二 Ta层，其中第一 Ta层、NiFe层和第二 Ta层形成磁阻层221。在其他的实施例中，也可以是其他磁性材料。步骤430，在所述磁阻层221上沉积导电材料形成所述导电层231，如图3c所示。所述导电层的沉积厚度约为200-500nm，所述导电材料可以包括锑Ti和铜Cu，也可以是其他任意导电材料。步骤440，光刻所述导电层231和所述磁阻层221使得导电层231和磁阻层221形成第一预定义图形，如图3d所示。所述磁阻层的第一预定图形包括若干磁阻条220。所述导电层231也被同样光刻成为第一预定图形的导电层231a。由于磁阻层221和所述导电层231是在同一次光刻中被光刻，因此他们的边缘都是对齐的，图形也是一致的。在一个具体的实施例中，光刻所述导电层231和所述磁阻层221的步骤包括:在所述导电层231上涂覆光刻胶形成第一光刻胶层；经过第一预定义图形的掩膜版对第一光刻胶层进行曝光；对曝光后的第一光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述导电层231和所述磁阻层221使得导电层和磁阻层形成第一预定义图形；去除第一光刻胶层。步骤450，光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层231a使得所述导电层231a形成第二预定义图形，如图3e和图3f所示，其中图3f是图3e所示的磁传感器的俯视图。所述导电层的第二预定图形包括形成于每个磁阻条220上并与该每个磁阻条220成预定角度的相互平行的若干个导电条230。如图3f所示的，由于是在步骤440中的光刻过程一同形成的，所述导电条230的两端230a和230b与对应的磁阻条220的两侧边220a和220b对齐。这样克服了现有技术中，导电条230和磁阻条220的重叠偏差问题。所述预定角度在30度到60之间，优选的，所述角度可以为45度。在一个实施例中，光刻已被光刻成第一预定义图形的导电层的步骤包括:在所述已被光刻成第一预定义图形的导电层231a上涂覆光刻胶形成第二光刻胶层；经过第二预定义图形的掩膜版对第二光刻胶层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶层进行显影处理；刻蚀所述已被光刻成第一预定义图形的导电层231a使得导电层形成第二预定义图形；去除第二光刻胶层。由于本技术中的磁阻层221和导电层231是连续形成的，在两者形成的步骤之间不存在光刻步骤，这样使得磁阻层221的表面不会被氧化，磁阻层221和导电层231之间可能形成良好的欧姆接触。这样省去了现有技术中的氧化层的刻蚀步骤，解决了磁阻层221的表面由于长时间暴露在空气中而被氧化的问题。根据本技术的另一个方面，如图3e和3f所示，本技术提出了一种基于上述制造方法得到的磁传感器200，其包括:基底210 ;形成于基底210上的多个磁阻条220 ;形成于每个磁阻条220上的并与该每个磁阻条220成预定角度的相互平行的若干个导电条230 ;其中所述导电条230的两端与对应的磁阻条220的两侧边对齐。不同的磁阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其特征在于，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上的并与该每个磁阻条成预定角度的若干个导电条；其中所述导电条的两端与对应的磁阻条的两侧边对齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋乐跃，沈佳，顾文彬，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32