磁传感器制造技术

一种磁传感器包括薄膜状的磁电阻效应元件、形成在与所述磁电阻效应元件的膜平面平行的面内的产生向该磁电阻效应元件施加的磁场的线圈，其特征在于： 所述线圈由平面上看形成涡旋的第一导线和平面上看形成涡旋的第二导线构成； 所述磁电阻效应元件平面上看配置在所述第一导线的涡旋中心和所述第二导线的涡旋中心之间； 第一和第二导线由位于平面上看与磁电阻效应元件重叠的部分的第一导线的部分和位于平面上看与磁电阻效应元件重叠的部分的第二导线的部分相连接。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种设置有磁电阻效应元件和产生加于上述磁电阻效应元件的磁场的线圈的磁传感器。
技术介绍
此前，众所周知有采用巨型磁电阻效应元件(GMR元件)、或者磁隧道效应元件(TMR元件)等磁电阻效应元件作为磁场检测元件的磁传感器。如图33所示，这样的磁传感器设置有用来把偏置磁场加于磁电阻效应元件100上的线圈110。这种情况下，线圈110形成为涡旋状，磁电阻效应元件100形成在该线圈110的涡旋周部上方。流经位于该磁电阻效应元件100正下方的线圈110的各导线的电流产生对磁电阻效应元件100的偏置磁场。但是，按照上述现有技术，线圈110中不直接形成上述偏置磁场的部分多，使得该线圈110的占有面积大，因此该线圈110成为使磁传感器小型化的障碍。另外，由于线圈110的全长越长其电阻就越大，所以用来产生偏置磁场的耗电量就大，或者，因电源电压而引起不能确保所必需的电流，而难以形成所希望的偏置磁场。
技术实现思路
本技术的目的之一正是要解决上述课题，本技术的磁传感器设置有薄膜状的磁电阻效应元件、形成在与上述磁电阻效应元件的膜平面平行的面内来产生施加于该磁电阻效应元件的磁场的线圈；其特征在于所述线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木利尚，佐藤秀树，金子诚，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：实用新型
国别省市：