磁传感器制造技术

提供一种磁传感器，该磁传感器包括衬底、自旋阀型的磁电阻元件、偏磁层（或者永磁体膜）和保护膜，其中偏磁层与磁电阻元件的两端连接，在磁电阻元件的两端偏磁层的上表面被磁电阻元件的下表面完全覆盖。在这里，从保护膜方向看，磁电阻元件两端的侧面和偏磁层侧面之间的距离不超过３微米。此外，偏磁层的一部分可以被磁电阻元件的两端覆盖，并且一中间层设置为与磁电阻元件、偏磁层和保护膜相连以便完全覆盖偏磁层的上表面。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种使用巨磁电阻元件(或GMR元件)的自旋阀型的磁传感器。本申请要求日本专利申请第2003-421236、2003-199280和2003-199281号的优先权，其内容在本文中参考引用。
技术介绍
传统上，各种使用自旋阀型磁电阻元件如巨磁电阻元件(或GMR元件)的磁传感器已经开发出来并投入实际使用，在磁场作用下磁电阻元件的电阻发生变化。例如，GMR元件由磁化方向在指定方向被钉扎的被钉扎层和磁化方向随外加磁场变化的自由层组成，其中它表示在磁化方向上的与被钉扎层和自由层之间的相对关系相应的电阻，通过测量元件的电阻可以检测外加磁场。包含在磁传感器中的GMR元件由微细线条图案组成，线条以Z字形方式折叠多次，由此可以在一个非常小的面积内增加总路径长度，从而增加阻抗，因而可以减少消耗的电流。在前述具有Z字形图案的GMR元件中，微细线条的折叠部分(或弯曲部分)由磁电阻膜构成，这可以使得GMR元件的灵敏度方向不一致；换句话说，这破坏了外磁场和磁电阻元件的电阻之间的线性关系(或线性度)；因而，难以精确测量磁场的强度。考虑前述结构的不足，开发了一种使用具有Z字形图案的GMR元件的磁传感器，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其特征在于包括：多个磁电阻膜，以彼此实质上平行的方式分布，各磁电阻膜具有类带形状；和多个永磁体膜，被分别配置在所述磁电阻膜的端部附近，其中所述永磁体膜被配置成以Ｚ字形图案接合所述磁电阻膜，使得所述磁电阻 膜的一端通过一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接，并且该磁电阻膜的另一端通过另一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-18 199280/03;JP 2003-7-18 199281/03;JP 21.一种磁传感器，其特征在于包括多个磁电阻膜，以彼此实质上平行的方式分布，各磁电阻膜具有类带形状；和多个永磁体膜，被分别配置在所述磁电阻膜的端部附近，其中所述永磁体膜被配置成以Z字形图案接合所述磁电阻膜，使得所述磁电阻膜的一端通过一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接，并且该磁电阻膜的另一端通过另一个永磁体膜与相邻的磁电阻膜连接。2.根据权利要求1的磁传感器，其特征在于通过在一衬底上顺序叠层一钉扎层、一被钉扎层、一间隔层和一自由层而构成所述磁电阻膜，并且其中该自由层的单轴各向异性方向与所述磁电阻膜的纵向方向和所述永磁体膜的磁化方向一致。3.根据权利要求1的磁传感器，其特征在于所述永磁体膜配置成以下列方式接合所述磁电阻膜，使得所述永磁体膜的排列的总矩形比设定为‘1’以上，并且所述永磁体膜的纵向方向与所述磁电阻膜的纵向方向相一致。4.根据权利要求2的磁传感器，其特征在于所述永磁体膜配置成以下列方式接合所述磁电阻膜，使得所述永磁体膜的排列的总矩形比设定为‘1’以上，并且所述永磁体膜的纵向方向与所述磁电阻膜的纵向方向相一致。5.根据权利要求1到4中任一项的磁传感器，其特征在于所述永磁体膜由导电材料组成以便实现相邻磁电阻膜的端部之间电连接在一起。6.一种磁传感器，其特征在于包括衬底；形成于所述衬底上的自旋阀型的磁电阻元件；配置成连接所述磁电阻元件的两端的偏磁层；和用于分别覆盖所述磁电阻元件和所述偏磁层的保护膜，其中在所述磁电阻元件的两端，所述偏磁层的上表面被所述磁电阻元件的下表面完全覆盖。7.根据权利要求6的磁传感器，其特征在于所述磁电阻元件的所述两端的侧面和所述偏磁层的侧面之间的距离不超过3um，其中该距离通过从所述保护膜观测所述磁电阻元件在所述偏磁层的周缘部分中测量得到。8.一种磁传感器，其特征在于包括衬底；配置在所述衬底上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：涌井幸夫，吉田晋，相曾功吉，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：实用新型
国别省市：JP[日本]