【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在高功率全桥或半桥式晶体管电路中进行的双向电流 检测的方法和装置，更具体地，在此方法和装置中，本专利技术未在功率电路中 添加元件，并且此方法和装置能被完整地集成到桥式驱动器IC中。本专利技术在上下文中将基于半桥式MOSFET电路进行描述，但应当理解为 本专利技术公开的概念也可直接应用于使用其他类型的或功率的晶体管，以及全 桥式拓扑结构的电路。
技术介绍
高电压半桥和全桥式功率电路有很多不同的应用，例如电机驱动器，荧 光灯的电子镇流器和电源。在图1中示出了简单的半桥式电路10。该电路使 用连接于MOSFET MHS和MLs的高端和低端图腾柱，MOSFET MHS和M,.s供给负载 12，该负载12连接在MOSFET之间的公共节点14与电容CI和C2之间的第 二公共节点16之间，该供给经过包含MOSFET MHs和电容Cl的第一电路路径 以及包含MOSFET MLs和电容C2的第二电路路径。栅极驱动电路18，典型的是IC，根据逻辑输入信号H^和U，提供栅极驱动信号来控制M0SFET M s和MLs的开启和关断。在包含半桥或全桥式拓扑结构的功率应用中...
【技术保护点】
一种用于包含高端和低端晶体管开关的桥接开关晶体管输出电路的栅极驱动器，所述栅极驱动器包括： 第一输入端，用于接收高端开关使能信号； 第二输入端，用于接收低端开关使能信号； 第三输入端，用于连接到高端开关和低端开关之间的公共节点； 第一输出端，用于提供高端开关的栅极驱动信号； 第二输出端，用于提供低端开关的栅极驱动信号； 第三输出端，用于提供表示流过高端开关和低端开关的输出电流的测量信号； 偏移电路，电耦合到所述第三输入端，包括参考电流源，电平转换器，以及由多个晶体管组成的特殊电路结构的电流镜电路； 测量电路，电耦合到所述偏移电路，它包括具有与所述第一电流参考源完全相同的电特...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：XC程，J本田，D威廉，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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