磁阻自旋阀层系统技术方案

本发明专利技术实施方式涉及磁阻自旋阀层系统。具体地，实施方式涉及具有增强稳定性的诸如巨磁阻（GMR）或隧道式磁阻（TMR）的MR自旋阀层系统以及相关传感器。本发明专利技术实施方式至少包括多层固定层或多层基准层之一，使得叠层更稳定，从而适用于比传统系统和传感器更高的温度和磁场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及集成电路(IC)传感器，更具体地，涉及具有增加稳定性的磁阻自旋阀层系统。
技术介绍
在磁阻自旋阀层系统中，层系统的电阻取决于两个磁化方向之间的角度。参考图1中传统巨磁阻(giant magnetoresistive, GMR)自旋阀叠层,这些方向中的一个是自由的，追随外部施加的磁场。与该方向关联的层被称为自由层。虽然图1中示出GMR叠层，但其他磁阻技术也可用于实施方式，如隧道式磁阻(tunneling magnetoresistive, TMR)。其他磁化方向被固定并与所谓的基准层关联。基准层是基准系统的一部分，基准系统还包括反铁磁体层、固定层(pinned layer)、钌(Ru)层。传统上,例如，固定层和基准层是匀质的并由钴铁(CoFe)或钴铁硼(CoFeB)合金组成。基准系统的目的是保持基准层的固定磁化方向尽可能稳定。磁化通常通过将铁磁体的磁化耦合到反铁磁体而被固定在自旋阀层系统的基准层中。然后，层系统在磁场中受到热处理，其中邻近反铁磁体的磁化方向在系统冷却后被固定。使用这种自旋阀层系统的磁阻传感器可以在高达某最高温度和最大磁场中使用。然而，如果传感器暴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻（MR）自旋阀叠层，包括：反铁磁体层；邻接所述反铁磁体层的多层固定层；多层基准层；所述多层固定层和所述多层基准层之间的非磁性金属层；自由层；以及所述自由层和所述多层基准层之间的非磁性金属层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·贝维尔，克莱门斯·普鲁格尔，沃尔夫冈·拉伯格，安德烈亚斯·斯特拉瑟，于尔根·齐默尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：