【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁传感器领域，具体来说，是一种利用谐振结构增强巨磁阻抗效应的磁敏感结构和器件。
技术介绍
磁传感器一直在 现代技术中承担着重要角色，并广泛应用于工程工业领域，如生物磁测量、地磁导航、地球勘探、高密度磁记录系统、移动电话等。用来实现磁传感器的原理有很多，例如霍尔效应、磁阻效应、巨磁阻效应、巨磁阻抗效应、核进动、超导量子干涉仪、磁弹性效应等。超导量子干涉仪是目前商品化的精度最高的磁传感器，但因造价昂贵，难以小型化，限制了其应用范围。随着先进集成电路技术和商品化电子市场的发展，小型化、低成本、高灵敏度的传感器获得了更多的关注。近年来，巨磁阻抗效应(GMI)磁传感器顺应了这一发展趋势，并且适用于MEMS技术。人们对GMI磁传感器进行了深入的研究，相继在非晶带、纳晶丝(带)、薄膜、三明治/多层膜结构以及复合结构等材料中均发现了 GMI效应，这为GMI效应在传感器的实际应用有了更多的材料选择。对与GMI磁敏感器件的激励方式和信号获取方式也进行了广泛的研究，主要包括正弦波和方波激励研究，偏置磁场、偏置电流等构成的非对称巨磁阻抗效应(AGMI)研究，以及采用阻抗相...
【技术保护点】
一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件，其特征在于：将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成，将电容直接连接在磁阻抗效应的磁敏感器件的两端。
【技术特征摘要】
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