一种磁共振成像超导磁体中心区磁场测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种磁共振成像超导磁体中心区磁场测量装置，包括：测磁探头以及调节支撑架。调节支撑架包括：与超导磁体内筒同轴设置的轴向调节杆、用于安装轴向调节杆的径向支承部件以及与设置于轴向调节杆上的高度调节部件。其中，轴向调节杆与高度调节部件联合作用，能够使得测磁探头在空间任意方位上进行磁场测量，扩展了调节装置的调节能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁共振成像
，更具体地说，特别涉及一种磁共振成像超导磁 体中心区磁场测量装置。
技术介绍
磁共振成像(MRI)已经成为现代医学成像的主要手段之一。其成像质量和工作效 率的高低很大程度上取决于磁体中心成像区基础磁场均匀度的好坏。一般医学全身成像的超导磁共振成像磁体需要在磁场中心直径为50cm的球域内 具有匀一的静磁场，磁场偏差的均方根值要达到IOppm左右。然而由于磁体实际制造过程 中所带来的偏差，对于设计优良并仔细装配完成的磁共振成像超导磁体，其主磁场不均匀 度也只能达到均方根IOOppm左右。因此，超导磁共振成像磁体在励磁之后必须通过匀场， 才能使磁体的主磁场均勻度达到成像要求。在对磁体匀场过程中，我们首先需要准确测量匀场区目标球域表面上的磁场分 布，用测量得到的数据计算磁场不均匀度，判断是否达到匀场要求。中心匀场区位置的选择 将决定着最终匀场效果的好坏，而现有的磁共振成像超导磁体中心区磁场测量装置(中心 区磁场测量装置)在对于磁场中心位置的寻找上调节范围有限(寻找中心区时，调节能力有 限)，且费时费力，很难保证位置调节的精度。因此本专利技术所给出的用于磁共振本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁共振成像超导磁体中心区磁场测量装置，安装于超导磁体内筒（a）中，包括用于进行磁场测量的测磁探头，其特征在于，还包括调节支撑架，所述调节支撑架设置于超导磁体内筒（a）中用于安装所述测量探头；所述调节支撑架包括：与超导磁体内筒（a）同轴设置的轴向调节杆（1）、用于安装所述轴向调节杆（1）的径向支承部件以及与设置于所述轴向调节杆（1）上的高度调节部件（2）；所述轴向调节杆（1）可转动地设置于所述径向支承部件上；所述高度调节部件（2）可滑动地设置于所述轴向调节杆（1）上；所述测磁探头可滑动地设置于所述高度调节部件（2）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张国庆，朱自安，赵玲，耿丽斯，王兆连，李培勇，胡金刚，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，潍坊新力超导磁电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：