【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种探头设备的传感器，尤其涉及一种磁芯结构的磁通门传感器。
技术介绍
20世纪30年代初，出现了磁通门技术，它可以测定恒定和低频弱磁场，其基本原理是利用高磁导率、低矫顽力的软磁材料磁芯在激磁作用下，感应线圈出现随环境磁场而变的偶次谐波分量的电势特性，通过高性能的磁通门调理电路测量偶次谐波分量，从而测得环境磁场的大小。1936年德国物理学家Aschenbrenner和Goubau首次采用二次谐波环芯探头测量大地磁场在水平方向上的冲击波动地磁变化，记录磁扰并提出磁通门的工作原理，随后Lapierre、Autranikian、Vacquier等人对此项技术做了进一步的探索，从而证明了这种技术的可行，利用它制成的仪器也不断的获得发展。 磁通门技术是一种普遍存在的电磁现象，其基本原理服从法拉第电磁感应定律。磁通门传感器也称磁通门磁强计，它是在被测磁场中高磁导率铁芯在交变磁场的饱和激励下，利用其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的一种传感器。与普通类型弱磁测量仪器相比，磁通门传感器具有灵敏度高、小巧、使用方便、低功耗、能够直接测量磁场的分量等优点。磁通门传感器发展迅速，应用领域非常广泛，在我国也有很多单位在从事磁通门传感器的研制。我国的高性能磁通门磁强计技术水平实际上已经接近或达到了同类产品的国际先进水平，已经有若干单位研制出了分辨力和稳定度为O. InT的样机。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种磁芯结构的磁通门传感器，它具有结构简单、灵敏度高的优点。本专利技术是这样来实现的，一种磁芯结构的磁通门传感器，它包括外壳、磁芯和盖子，其特征...
【技术保护点】
一种磁芯结构的磁通门传感器，它包括外壳、磁芯和盖子,？其特征在于磁芯为非晶材料制成的叠片结构，磁芯位于外壳内，外壳的上部连有盖子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李长全，于润桥，付鑫，董辉，李文，薛名山，王法军，欧军飞，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：
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