穿隧式磁阻传感器制造技术

本发明专利技术提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方，并具有多个开口。电极阵列包括多个电极，且这些电极是彼此间隔地排列在绝缘层中，而各个开口分别暴露出其所对应的电极。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵列上方，并电性连接至此电极阵列。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器，也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接，具有简化制程与节省成本的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于ー种穿隧式磁阻传感器，且特别是关于ー种平面穿隧式磁阻传感器。
技术介绍
近年来，磁阻元件的应用主要分为两种，一种是磁性随机存取内存(MagneticRandom Access Memory, MRAM),另一种则是磁阻传感器(magnetoresistance sensor)。以磁阻传感器为例，其可应用于电子罗盘中，用以精细侦测地球磁场的变化；或是应用于机械装置之中，用以监测线性或角度位移。而且，为提高装置的灵敏度，目前多以穿隧式磁阻(Tunneling Magnetoresistance, TMR)元件来取代以往常用的巨磁阻(GiantMagnetoresistance, GMR)兀件。 在使用穿隧式磁阻机制的现有磁阻传感器中，穿隧式磁阻元件与上、下电极均以绝缘层相隔，并透过接触插塞(plug)而电性连接至上电极及下电极。也就是说，电流会以垂直穿隧式磁阻元件的表面的方向在上电极与下电极之间流动，形成所谓的垂直穿隧式(Current-Perpendicular-to Plane Tunneling, CPPT)磁阻传感器。然而，在垂直穿隧式磁阻传感器的制作过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种穿隧式磁阻传感器，其特征在于，包括：一基板；一绝缘层，配置于该基板上方；一穿隧磁阻元件，嵌于该绝缘层中；以及一第一电极阵列，包括多个第一电极，该些第一电极彼此间隔地排列于该绝缘层上方，并分别电性连接至该穿隧磁阻元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李乾铭，陈光镜，刘富台，
申请(专利权)人：宇能电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：