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本发明提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方，并具有多个开口。电极阵列包括多个电极，且这些电极是彼此间隔地排列在绝缘层中，而各个开口分别暴露出其所对应的电极。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵...
该专利属于宇能电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宇能电科技股份有限公司授权不得商用。

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