【技术实现步骤摘要】
技术介绍
惠斯登电桥是用于通过平衡电桥的两个分支来测量未知的电气电阻的电路,其中的一个分支包括未知电阻。为了在诸如角度传感器的传感器中使用惠斯登电桥时获得最佳性能,电桥偏移电压需要在芯片上被校正。通常,电桥偏移电压呈现出温度系数,这可能导致在与电桥偏移电压被校正的温度不同的温度下的显著偏移。附图说明图1A图示了隧道磁阻(TMR)堆叠。图1B图示了TMR电阻器。图1C图示了底部电极电阻器。图2A图示了用于使用激光熔丝来补偿在全桥中的电桥偏移电压的电路。图2B图示了用于使用激光熔丝来补偿在半桥中的电桥偏移电压的电路。图3图示了用于补偿电桥偏移电压和温度系数的电路。图4图示了用于补偿电桥偏移电压或者补偿电桥偏移电压和温度系数的示出全桥电路的电路。图5图示了用于使用接触焊盘来补偿电桥偏移电压的电路。图6A图示了用于补偿全桥中的电桥偏移电压的方法的流程图。图6B图示了用于补偿半桥中的电桥偏移电压的方法的流程图。具体实施方式本公开涉及用于补偿电桥偏移电压的TMR电阻器级联。TMR电阻器级联的电阻调整可以使用激光熔丝或者替代地通过开关或通过使级联的个体TMR电阻器短路来完成。此外,TMR电阻器级联和具有相对温度系数的底部电极电阻器级联的组合可以用于产生具有零或基本上接近零的温度系数的偏移电压补偿。图1A-1C图示了如本文中公开的用于补偿电桥偏移电压的基本部件。图1A图示了隧道磁阻(TMR)堆叠100A。TMR堆叠100A包括具有铁磁性质的底部电极110A和具有铁磁性质的顶部电极130A,在其之间是隧穿势垒120A。如已知的,隧穿势垒120A的电导取决于顶部和底部电极110A ...
【技术保护点】
一种电桥偏移电压补偿电路,包括:具有第一分支电路的电桥电路;以及隧道磁阻(TMR)电阻器级联,与所述第一分支电路串联耦合并且被配置为提供用于补偿电桥电路的电桥偏移电压的电阻。
【技术特征摘要】
2015.02.18 US 14/6250381.一种电桥偏移电压补偿电路,包括:具有第一分支电路的电桥电路;以及隧道磁阻(TMR)电阻器级联,与所述第一分支电路串联耦合并且被配置为提供用于补偿电桥电路的电桥偏移电压的电阻。2.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,进一步包括:低欧姆金属线,与TMR电阻器级联并联耦合并且具有熔丝,其中,所述熔丝被配置为调整TMR电阻器级联的电阻。3.根据权利要求2所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,所述熔丝被配置为在预定位置处断开低欧姆金属线,以建立通过TMR电阻器级联的定义的电流流动路径。4.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,进一步包括:低欧姆金属线,与TMR电阻器级联并联耦合并且具有开关元件,其中,所述开关元件被配置为调整TMR电阻器级联的电阻。5.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,所述TMR电阻器级联在第一分支电路和电压源之间串联耦合,并且所述电桥偏移电压补偿电路进一步包括在第一分支电路和接地端子之间串联耦合的另一TMR电阻器级联。6.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,TMR电阻器级联的各个TMR电阻器的电阻值增加到两倍。7.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,所述电桥电路具有与第一分支电路并联耦合的第二分支电路,并且电桥偏移电压补偿电路进一步包括第二TMR电阻器级联,所述第二TMR电阻器级联与第二分支电路串联耦合并且被配置为提供用于补偿电桥偏移电压的电阻。8.根据权利要求7所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,电桥电路是惠斯登电桥。9.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,进一步包括:多个接触焊盘,耦合在TMR电阻器级联的各个TMR电阻器之间,其中,多个接触焊盘被配置为提供施加的电压,其大于TMR电阻器级联的TMR电阻器中的至少一个的击穿电压,以使TMR电阻器中的至少一个短路并且降低TMR电阻器级联的电阻。10.根据权利要求1所述的电桥偏移电压补偿电路,进一步包括:与TMR电阻器级联串联耦合的底部电极电阻器级联,其中,TMR电阻器级联具有负的温度系数,并且底部电极电阻器级联具有正的温度系数。11.根据权利要求10所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,所述TMR电阻器级联的电阻的幅值和底部电极电阻器级联的电阻的幅值基本上相等。12.根据权利要求10所述的电桥偏移电压补偿电路,其中,所述电桥偏移电压具有零或基本上接近...
【专利技术属性】
技术研发人员:J齐默,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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