【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种磁电阻磁场梯度传感器，尤其是一种采用MTJ磁电阻为敏感元件的磁场梯度传感器。
技术介绍
磁传感器广泛用于现代电子系统中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔元件，各向异性磁电阻(AMR)或巨磁电阻(GMR)为敏感元件的磁传感器。以霍尔元件为敏感元件的磁传感器灵敏度非常低，通常使用聚磁环结构来放大磁 场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置set/reset线圈对其进行预设_复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低，同时，GMR元件的响应曲线呈偶对称，只能测量单极性的磁场梯度，不能测量双极性磁场梯度。隧道结磁电阻(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻...
【技术保护点】
一种磁电阻磁场梯度传感器，其特征在于：它包括基片、分别设置在基片上的磁电阻电桥和永磁体，所述磁电阻电桥包括两个或两个以上的磁电阻臂，所述磁电阻臂由一个或多个磁电阻元件构成，该磁电阻元件具有磁性钉扎层，且所有磁电阻元件的磁性钉扎层的磁矩方向相同，所述永磁体设置在每个磁电阻臂的附近用于提供偏置场并使磁电阻元件的响应曲线的偏移归零，该磁电阻磁场梯度传感器的焊盘可以通过引线连接到ASIC或引线框的封装引脚上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白建民，詹姆斯·G·迪克，刘明峰，沈卫锋，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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