用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐制造技术

本发明专利技术涉及通式In6O2X6(OR)6(R’CH(O)COOR’’)2(HOR)x(HNR’’’2)y的卤化的铟氧杂醇盐，其中X=F、Cl、Br和/或I，R=C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基、R’=C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基、R’’=C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基，R’’’=C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基，x=0-10和y=0-10，涉及其制备方法及其用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐本专利技术涉及用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐(Indiumoxoalkoxide),涉及其制备方法和其用途，尤其是用于制备含氧化铟层，用作涂料组合物的组分和用于制备电子组件的用途。由于在3. 6和3. 75eV之间大的带隙(对蒸镀层所测量的)[H. S. Kim, P. D.Byrne, A. Facchetti, T. J. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581],氧化铟(氧化铟(III)，In2O3)是一种大有前途的半导体。此外，几百纳米厚度的薄膜能够在可见光谱范围内在550nm处具有大于90%的高透明性。在极端高度有序的氧化铟单晶中，另外还可测量最高160cm2/Vs的载流子迁移速率。氧化铟常常特别是与氧化锡(IV) (SnO2) 一起作为半导电的混合氧化物ITO使用。此外，由于ITO层相对高的导电性同时在可见光谱范围内具有透明性，它们尤其在液晶显示器(IXD)领域使用，特别是作为“透明电极”。这些大多数被掺杂的金属氧化物层在工业上特别是在高真空下通过昂贵的蒸镀法制备。因此，含氧化铟层及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.21 DE 102010031592.31.通式In6O2X6(OR)6OT CH(0)C00R’’)2 (HOR) x (HNR’’’ 2) y 的含卤素的铟氧桥醇盐， 其中 -X = F、Cl、fc 和 / 或 I， -R = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基， -R’ = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基， -R’’ = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基， -R’’’ = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基， -X = 0-10 和 -y = O-1O02.权利要求1的铟氧桥醇盐，其特征在于，其对应于通式In6O2Cl6(OCH2CH3)6 (CH3CH (O)COOCH2CH3) 2 (HN (CH3)2) 2 ο3.用于制备权利要求1或2的铟氧桥醇盐的方法，其特征在于， -将式InX3的铟(III)盐，其中X = F、Cl、Br和/或I， -首先在存在醇ROH的情况下，其中R = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基，-和在存在通式HNR’’’2的仲胺的情况下，其中R’’’ = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-烷氧基芳基 进行转化而得到铟(III)卤素醇盐加合物或铟(III)氧桥卤素醇盐加合物， 所述加合物随后 -与至少一种α —羟基酸酯R’ CH(OH) COOR^反应， -其中R’ = C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基和/或C7-C15-...

【专利技术属性】
技术研发人员：J施泰格，DV范，H蒂姆，A默库洛夫，A霍佩，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：
国别省市：