用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐制造技术

本发明专利技术涉及通式In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x的含卤素的铟氧桥醇盐，涉及其制备方法以及其用途，其中R=C1-C15-烷基、C1-C15-链烯基、C1-C15-炔基、C1-C15-烷氧基烷基、C6-C15-芳基-或C7-C15-烷氧基芳基，X=F,Cl,Br,I和x=0至10。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐本专利技术涉及用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐(Indiumoxoalkoxide),涉及其制备方法和其用途，尤其是用于制备含氧化铟层，用作涂料组合物的组分和用于制备电子组件的用途。由于在3. 6和3. 75eV之间大的带隙(对蒸镀层所测量的),氧化铟(氧化铟(III)，In2O3)是一种大有前途的半导体。此外，几百纳米厚度的薄膜能够在可见光谱范围内在550nm处具有大于90%的高透明性。在极端高度有序的氧化铟单晶中，另外还可测量最高160cm2/Vs的载流子迁移速率。氧化铟常常特别是与氧化锡(IV) (SnO2) 一起作为半导电的混合氧化物ITO使用。此外，由于ITO层相对高的导电性同时在可见光谱范围内具有透明性，它们尤其在液晶显示器(IXD)领域使用，特别是作为“透明电极”。这些大多数被掺杂的金属氧化物层在工业上特别是在高真空下通过昂贵的蒸镀法制备。因此，含氧化铟层及其制备，尤其是ITO层和纯的氧化铟层及其制备对于半导体和显示器工业来说是十分重要的。作为用于合成含氧化铟层的可能的起始物(Edukte)和前体已经讨论了多个化合物种类。例如包括铟盐。例如，M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J施泰格，DV范，H蒂姆，A默库洛夫，A霍佩，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限公司，
类型：
国别省市：