一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种多晶硅太阳电池减反射膜，它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，二氧化硅膜厚度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，第一层氮氧化硅膜厚度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，第三层氮氧化硅膜厚度为30-50nm，折射率为1.7-1.9。该三层减反射膜能大幅度降低膜表面反射率，二氧化硅层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性，因此，能够很好地提高光学转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅太阳电池的制备
，具体是。
技术介绍
太阳能电池发展的主要趋势是高 转换效率和低成本。为了提高电池的转换效率，降低电池表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。采用减反射膜以降低电池表面对光的反射损失，即是一种提高转化率和降低成本的方法。在多晶硅太阳能电池的生产工艺中，常用的减反射层材料由Si02、SiNx、IT0等。晶体硅电池行业目前普遍采用PEV⑶制备SiNx和SiO2作为减反射膜。PEVC等离子体增强化学气相沉积是利用辉光放电的作用产生电子，而这些电子经过与反应气体分子的碰撞而形成等离子体，通过一定的温度、压强等在样品表面经过复杂的物理化学反应而形成等离子体，通过一定的温度、压强等在样品表面经过复杂的物理化学反应而形成固体薄膜。通过选用不同的减反射材料和不同的沉积层数相互配合，达到最佳的减反射效果，并最终提高电池片的光电转换效率。为了更好的提高减反射膜与可见光波段内太阳光的光学匹配度，同时考虑平衡钝化和短波吸收之间的矛盾，双层膜或者多层膜结构今年来逐渐成为研究热点，并开始规模化应用于晶体硅太阳能电池的生产中。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅太阳电池减反射膜，其特征在于它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，所述的二氧化硅膜厚度为8?12nm，折射率为2.1?2.3，所述的第一层氮氧化硅膜厚度为15?25nm，折射率为1.9?2.0，所述的第三层氮氧化硅膜厚度为30?50nm，折射率为1.7?1.9。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张晨，张森林，
申请(专利权)人：江苏晨电太阳能光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：