【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法，其特征在于，扩散前在硅片制绒面镀一层二氧化硅膜，扩散为双面扩散并且包含了两步有源扩散和两步吸杂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨金波，苗丽燕，福克斯·斯蒂芬，刘长明，刘丽芳，苗凤秀，蔡永梅，汤安民，谢斌，谢旭，李仙德，陈康平，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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