【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法。
技术介绍
降低太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的效率始终是太阳能电池业界追求的目标。从降低成本的角度考虑，需要减少硅材料的使用量，也就是降低硅片的厚度。但是，随着硅片厚度的减小，硅片表面状态对电池性能的影响变得更加重要。首先，由于硅片表面存在大量的悬挂键和表面态。需要对硅片表面进行钝化处理，以降低硅片表面的光生载流子的复合速率，从而提高电池的转换效率。对于P型单晶硅来说，表面钝化技术可以分为两种一是引入杂质阻止载流子到表面的传输；二是沉积或者生长一层介质膜以减小表面态密度。第一种引入杂质。目前普遍采用的是通过丝网印刷方法印刷Al浆然后烧结形成背表面场。对于P型硅太阳能电池背表面钝化技术，根据原理来讲，在烧结温度为750-900°C范围内，Al掺杂的背表面场具有峰值浓度为l-3xl018cm_3。虽然在2_3ohm · cmSi材料上实现了 200cm/s的复合速率。然而该复合速率值在实际中是很难重复的，也不足以实现20%的效率值，而内表面反射率也处于65-...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜，其特征是，由上下两层SiOxNy薄膜组成，所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜，第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁伟明，
申请(专利权)人：泰通泰州工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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