包括含分散的具有不同折射指数的区域的物体的抗反射层的光生伏打装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光生伏打装置，所述装置包含：当经受电磁辐射时能确保光生伏打效应的半导体材料；对于所述电磁辐射可穿透以确保光生伏打效应的抗反射层，该抗反射层含有在分散状态下尺寸小于5微米优选小于2微米的物体，所述物体包含至少两个由两种不同的基材组成的区域，所述基材对于所述电磁辐射可穿透并且具有不同的折射指数，即：(i)具有第一折射指数nC的核；和(ii)具有第二折射指数nE的围绕所述核的层，所谓的外壳，所述第二折射指数nE不同于核的折射指数nC，核的尺寸与核/外壳组件的尺寸的比率为1:1.5至1:5之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括含分散的具有不同折射指数的区域的物体的抗反射层的光生伏打装置本专利技术涉及光生伏打电池和模块类型的光生伏打装置，由于存在一个或若干个具有抗反射性质的层使得能够改进光透射而具有高效率。“具有抗反射性质的层”此处是指沉积在固体基材上的层，对于从紫外到红外范围的至少某些电磁波(通常具有250nm至1500nm之间的波长)，通过提高这些波的透射，在固体基材的改性表面上降低反射性质。获得抗反射性质是光生伏打转化领域最特别寻求的，其中降低反射表述为提高入射光的转化量，因此提高转化率。为了在光生伏打转化的范围内避免反射现象，已提出不同的方案，这些方案证明不完全令人满意。·特别是，已描述第一代光生伏打电池，其包含半导体材料，通常为二氧化硅的薄片(晶片)，单晶或多晶，掺杂或未掺杂，覆盖可能提供抗反射效应并因此提高半导体接受的入射光的量的层。该层通常由氮化硅组成，其可显著地通过等离子体沉积作为气相沉积，例如根据所谓的PECVD(“等离子体增强的化学气相沉积”)技术。氮化硅开始时提出用于钝化硅的表面，代替在历史上用于该目的的氧化钛或硫化锌层，进一步发现氮化硅具有抗反射性质。或者，更最近，已提出基于SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·高迪，M·卢阿恩，F·汝热，
申请(专利权)人：保利瑞斯公司，
类型：
国别省市：