具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造制造技术

一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层（104）上印刷掺杂物源（105、106）。对掺杂物源（105、106）进行固化，以将来自掺杂物源（105、106）的掺杂物扩散至多晶硅层（104）中，从而形成扩散区（107、108），并对掺杂物源（105、106）进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性。为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源（105、106）之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源（106）的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源（105）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】方法
本专利技术整体涉及太阳能电池，特别是但不排他地涉及太阳能电池制造工艺和结构。·2.
技术介绍
太阳能电池是熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造而成。太阳能电池括P型和N型扩散区。投射在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子和空穴，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们相连的金属触指均位于太阳能电池的背面上。金属触指允许将外部电路连接到太阳能电池上并由太阳能电池提供电力。效率是太阳能电池的一个重要性能，因为这直接关系到太阳能电池的发电能力。相应的，用于改进太阳能电池效率的技术是广泛期望的。此外，还期望降低制造太阳能电池的成本，从而使它们相对其它能源具有竞争力。
技术实现思路
在一个实施例中，一种太阳能电池制造工艺包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层上印刷掺杂物源。对掺杂物源进行固化，以将来自掺杂物源的掺杂物扩散至多晶硅层中，从而形成扩散区，并对掺杂物源进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性。为了防止补偿掺杂(counterdoping),阻止来自其中一个掺杂物源的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·D·丹尼斯，李波，彼得·约翰·卡曾斯，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：
国别省市：