一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:8490809 阅读:124 留言:0更新日期:2013-03-28 17:36
本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,通过在源漏金属层形成工艺之后,先形成透明导电层,后在透明导电层之上,制备钝化层及过孔,由于透明导电层具有耐刻蚀,不易损伤,从而在没有增加阵列基板形成工艺步骤的情况下,解决了源漏金属层中铜被损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
,具体可以涉及一种阵列基板及其制作方法,和一种显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因其具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。对于TFT-1XD来说,阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。随着液晶面板向大型化、高精细化、高频率以及3D等方向的发展,业界需要开发低电阻的电极材料。由于电极材料电阻的减小,降低了阻抗容抗(RC)延迟,提高了开口率。 而且,驱动方式可由两侧驱动变为单侧驱动,因此驱动IC的数量可减半。由于金属铜的电阻仅为2μ Ω · cm,因此,其目前已经成为电极材料的首选。但是当铜作为电极材料时,存在以下问题铜的上表面容易在覆盖其上的图层薄膜沉积以及刻蚀工艺中受到损伤,导致像素区的充电不足和管脚(Pad)区域与外接电路的连接不良。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,从而在没有增加工艺步骤地情况下,解决了源漏金属层中铜被损伤的问题。本专利技术提供方案如下本专利技术实施例提供了一种阵列基板,包括TFT,以及与所述TFT的漏极相连的像素电极,其特征在于,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板,包括:TFT,以及与所述TFT的漏极相连的像素电极,其特征在于,进一步包括:形成于源漏金属层之上的透明导电层;形成于透明导电层之上的钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张学辉
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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