一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，引线框架包括头部连杆和管脚连杆，下模间距镶件的一侧设有凹槽，头部连杆和凹槽配合设置。头部连杆的长度和凹槽的深度均为0.2-0.35mm。头部连杆的长度和凹槽的深度均为0.28mm。管脚连杆侧边为曲折形状。管脚连杆宽度为0.78mm。本实用新型专利技术阻止多余胶体溢出头部，并增长了引线框架头部连杆，且将下模间距镶件与头部连杆配合的部位由L形变成凹槽，加强了头部连杆与下模间距镶件的配合紧密度，有效地减少了树脂从引线框架头部溢出，减少了脱模后的除胶工序，节约了人力资源和原材料，提高了生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种半导体弓I线框架与下模间距镶件的配合结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构。
技术介绍
随着微电子技术的迅速发展，集成电路复杂度的增加，集成电路具有更小的外形， 更高的性能。这就对集成电路塑封引线框架提出了更高的要求，要求引线框架具备更高的电性能，更高的可靠性。因此引线框架制造要不断技术更新，严格质量管理，更好地适应封装技术和集成电路发展的需求。现有技术的引线框架与下模间距镶件的结构，如图I所示，下模间距镶件2为L 形，对应的，引线框架I头部设有头部连杆3，在注塑封装时，灌胶方向如图中箭头所示，极易导致溢胶的发生，造成产品脱模后，还需要增加除残胶的工序，浪费人力及原材料，生产效率低下。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其注塑时不易溢胶，减少脱模后的除胶工序，节约人力资源和原材料，生产效率较高。本技术的目的通过以下技术方案实现一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆，所述下模间距镶件的一侧设有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆，其特征在于：所述下模间距镶件的一侧设有凹槽，所述头部连杆和所述凹槽配合设置。

【技术特征摘要】
1.一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，包括引线框架和下模间距镶件，所述引线框架包括头部连杆和管脚连杆，其特征在于所述下模间距镶件的一侧设有凹槽，所述头部连杆和所述凹槽配合设置。2.根据权利要求I所述的一种半导体引线框架与下模间距镶件的配合结构，其特征在于所述头部连杆的长度和所述凹槽的深度均为0. 2-0. 35mm。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘思勇，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：实用新型
国别省市：