化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途技术

一种化合物氟硼酸钡和氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物氟硼酸钡及其非线性光学晶体化学式均为Ba3B6O11F2，晶体属单斜晶系，空间群P2(1)，晶胞参数为beta＝101.351(4)deg.，分子量690.88。其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的3倍，化合物氟硼酸钡采用固相反应法合成；氟硼酸钡非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该氟硼酸钡非线性光学晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学式为Ba3B6O11F2的化合物氟硼酸钡及氟硼酸钡非线性光学晶体，晶体制备方法和利用该晶体制作的非线性光学器件。
技术介绍
目前主要非线性光学材料有ΒΒ0( β -ΒΒ0)、LBO (LiB3O5)晶体、CBO (CsB3O5)晶体、CLBO(CsLiB6O10)晶体和KBBF(KBe2BO3F2)晶体。虽然这些材料的晶体生长技术已日趋成熟，但仍存在着明显的不足之处如晶体易潮解、生长周期长、层状生长习性严重及价格昂贵等。因此，寻找新的非线性光学晶体材料仍然是一个非常重要而艰巨的工作。因而近年来，在发展新型非线性光学晶体时，不仅注重晶体的光学性能和机械性能，而且越来越重视晶体的制备特性，希望新晶体材料容易制备，可以获得价格低廉的大尺寸高质量的非线性光学晶体。在硼氧框架中引入碱土金属阳离子和卤素离子以提高其性能的设计思想指导下，阴离子以硼氧功能基元为基础，其带隙较大，双光子吸收概率小；激光损伤阈值较高；利于获得较强的非线性光学效应；B-0键利于宽波段光透过。阳离子选择碱土金属离子，其在紫外区无Cltl电子的跃迁，有利于紫外透过，同时卤素离子的引入拓宽了其透光范围。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物氟硼酸钡，其特征在于该化合物的化学式为Ba3B6O11F2，分子量690.88，采用固相反应法合成化合物。

【技术特征摘要】
1.一种化合物氟硼酸钡，其特征在于该化合物的化学式为Ba3B6O11F2,分子量690. 88，采用固相反应法合成化合物。2.一种氟硼酸钡非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为Ba3B6O11F2，不具有对称中心，属单斜晶系，空间群P2(l)，晶胞参数为a= 6. 5672 (4)A,b 二 8.5035(6) A,c = 9. 6637 (6) Α, β =101.351(4)。.Z = 2，V= 529.11 (6)Α3，分子量 690. 88。3.根据权利要求2所述的化合物氟硼酸钡非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用固相反应法合成化合物及高温熔液法生长氟硼酸钡非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行 a、将氟硼酸钡化合物单相多晶粉末与助熔剂均匀混合，以温度1-30°C/h的升温速率将其加热至温度650-900°C，恒温5-80小时，得到混合熔液，再降温至温度610_830°C，其中氟硼酸钡化合物单相多晶粉末与助熔剂的摩尔比为I : 1-6; 或直接将含钡化合物、氟化钡和硼酸与助熔剂混合均匀，以温度1_30°C /h的升温速率将其加热至温度650-900°C，恒温5-80小时，得到混合熔液，再降温至温度610_830°C，其中含钡化合物、氟化钡和硼酸与助熔剂的摩尔比为2 :1:6:1-6; b、制备氟硼酸钡籽晶将步骤a得到的混合熔液以温度O.5-10°C /h的速率缓慢降至室温，自发结晶获得氟硼酸钡籽晶； C、...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘世烈，吴红萍，俞洪伟，侯雪玲，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：