新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法技术

新型高硅铝合金电子封装材料及其制备方法，本发明专利技术的合金是由以下质量百分比的成分构成12～40%Si，0.3～0.6%Fe，0.3～0.45%Mn，0.3～0.5%Mg，其余为工业纯铝。采用喷射沉积制备锭坯，对锭坯进行消除热应力退火后再进行多次小变形量热致密化，防止合金加工开裂，从而提高材料致密度。本发明专利技术的合金具有高强度，低膨胀系数，高导热率及良好气密性等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于电子封装的Al-Si-Fe-Mn-Mg合金及其制备方法，尤其涉及一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。
技术介绍
自1958年第一块半导体集成电路问世以来，到目前为止，IC芯片集成度的发展基本遵循MOORE定律。芯片集成度的提高必然导致其发热率的升高，使得电路的工作温度不断上升，从而导致元件失效率的增大。与此同时，电子封装也不断向小型化，轻量化和高密度组装化的方向发展，二十世纪九十年代以来，各种高密度封装技术，如芯片尺寸封装(CSP),多芯片组件(MCM)及单极集成组件(SUM)等的不断涌现，进一步增大了系统单位体积的发热率。为满足上述IC和封装技术的迅速发展，一方面要求对封装的结构进行合理的 设计；另一方面，为从根本上改进产品的性能，全力研究和开发具有低密度低膨胀高导热及良好综合性能的新型封装材料显得尤为重要。用高硅铝合金制备的电子封装材料由于具有质量轻(密度小于2. 7 g · cm—3)、热膨胀系数低、热传导性能良好、以及高的强度和刚度，与金、银、铜、镍可镀，与基材可焊，易于精密机加工、无毒等优越性能，符合电子封装技术朝小型化、轻量化、高密度组装化方向发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型高硅铝合金电子封装材料，其特征在于：含有Al、Si、?Fe、Mn和Mg，各组分的重量百分比为：?Si?12～40%，Fe?0.3～0.6%，Mn?0.3～0.45%，Mg?0.3～0.5%，其余为Al。

【技术特征摘要】
1.一种新型高硅铝合金电子封装材料，其特征在于含有Al、Si、Fe、Mn和Mg，各组分的重量百分比为Si 12 40%，Fe O. 3 O. 6%,Mn O. 3 O. 45%,Mg O. 3 O. 5%，其余为Al。2.一种新型高硅铝合金电子封装材料的制备方法，包括以下步骤 1)准备配料； 2)将上述配料熔炼，喷射沉积得到锭坯； 3)将上述锭坯进行去应力退火； 4)将退火后的锭坯进行热致密化加工，得到综合性能优异的高硅铝合金电子封装材料。3.根据权利要求2所述的一种新型高硅铝合金电子封装材料制备方法，其特征在于所述步骤2)具体为将上述配料在中频感应炉内进行熔炼，升温至750 1350°C，充分搅拌，用30%NaCl + 47%KC1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨伏良，郭涵文，
申请(专利权)人：长沙华希金属材料有限公司，
类型：发明
国别省市：