硅烷分解法多晶硅制备设备制造技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅制备设备，具体地说，涉及一种利用硅烷的热分解反应制取多晶硅制备设备，本发明专利技术为克服硅烷法制备多晶硅存在的缺陷，提供了一种安全系数高、产能高的硅烷分解法多晶硅制备设备，本发明专利技术其包括主反应室、气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元，气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元都和主反应室连接，气源单元和储存罐连接，本发明专利技术由于采用上述结构，保证了硅烷分解这一危险化学反应稳定运行，控制效果良好，提高了整个生产流程的安全性和高效性。操作人员通过组态王界面，细致了解热分解炉运作状况，减少事故发生率，最终实现了系统安全高效、节能降耗的目标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶娃制备设备，具体地说，涉及一种利用娃烧的热分解反应制取多晶硅制备设备。
技术介绍
多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原材料，是全球电子工业及光伏产业的基石。随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅的需求量迅速增长。现有的多晶硅生产工艺技术主要有改良西门子法、冶金法、硅烷法。 改良西门子法国内大多数厂家采用改良西门子法生产多晶硅(即三氯氢硅法)属高能耗的产业。在三氯氢硅法生产过程中，会排出四氯化硅、氯化氢等尾气。特别是四氯化硅，如果不做处理，将会严重污染环境。业内人士介绍，现在国内的大多厂家，每生产出I吨多晶娃，就会产生12吨四氯化硅。其中电力成本约占总成本的70 %左右，同时具有工艺流程长、投资大、技术操作难度大等缺点。冶金法冶金法的主要工艺是(I)选择纯度较好的工业硅进行水平区熔单向凝固成硅锭；(2)除去硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分；(3)进行粗粉碎与清洗；(4)在等离子体融解炉中除去硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，(5)除去第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分(6)经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中除去磷和碳杂质，直接生成出太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，其包括主反应室、气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元，气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元都和主反应室连接，气源单元和储存罐连接。

【技术特征摘要】
1.一种硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，其包括主反应室、气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元，气源单元、控制单元、电源单元、打压单元、真空单元都和主反应室连接，气源单元和储存罐连接。2.根据权利要求I所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，主反应室包括炉壁，炉壁内设置炉膛，炉膛内设置进气管、电极、硅芯、内部冷却管，进气管设置在炉膛的中央，电极、内部冷却管和硅芯围绕进气管设置，炉壁设置有夹层，夹层内设置冷却管道。3.根据权利要求2所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，主反应室设置炉盖，炉盖上设置溢流装置。4.根据权利要求I所述的硅烷分解法多晶硅制备设备，其特征在于，气源单元包括硅烷储存罐、控制柜、硅烷氢气分离装置、硅烷氢气分离后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丙科，陈加朋，李楠，
申请(专利权)人：青岛赛瑞达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：