阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，提供了一种阵列基板，包括：栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括：第一薄膜晶体管，还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，用于在第一薄膜晶体管的沟道处形成一开启电压，与所述栅极提供的开启电压共同开启第一薄膜晶体管的沟道。本发明专利技术还公开了上述阵列基板的制作方法及包括上述阵列基板的显示装置。本发明专利技术通过第二薄膜晶体管为第一薄膜晶体管的沟道提了开启电压，即与第一薄膜晶体管的栅极一起形成第一薄膜晶体管的双驱动电压，使栅线提供的开启电压在相对较低的情况下也能开启第一薄膜晶体管的沟道，从而降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有技术的阵列基板包括栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)、像素电极和公共电极,且每个像素单元只有一个TFT。该TFT的源极连接数据线，漏极连接像素电极，栅极由栅线驱动以开启TFT沟道，使数据线上的电压信号通过TFT施加至像素电极上。开启TFT沟道时通常需要较大的栅电极开启电压，以保证沟道处的充电电流和充电率，从而使得功耗上升
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何降低开启TFT时所需的功耗。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种阵列基板，包括栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括第一薄膜晶体管，每个像素单元还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，所述第二薄膜晶体管用于在第一薄膜晶体管的沟道处形成一开启电压，与所述栅极提供的开启电压共同开启第一薄膜晶体管的沟道。其中，所述第二薄膜晶体管的源漏电极层与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括：第一薄膜晶体管，其特征在于，每个像素单元还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，所述第二薄膜晶体管用于在第一薄膜晶体管的沟道处形成一开启电压，与所述栅极提供的开启电压共同开启第一薄膜晶体管的沟道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：