锡酸镉溅射靶制造技术

一种结构包括阻挡层和透明导电氧化物层，阻挡层可以包括氧化硅铝，透明导电氧化物层可以包括镉和锡的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光伏器件及其制造方法。
技术介绍
光伏器件可以包括设置在基底上方的半导体材料，半导体材料例如具有用作窗口层的第一层和用作吸收体层的第二层。半导体窗口层可以使太阳辐射穿透到吸收体层(例如，碲化镉层)，吸收体层将太阳能转换为电能。光伏器件的效率并不是很高。附图说明图I是多层基底的示意图。图2是具有多个层的光伏器件的示意图。图3是溅射沉积室的示意图。具体实施例方式光伏器件可以包括在基底(或超基底)上构建的多个层。例如，光伏器件可以包括在基底上形成为堆叠件的阻挡层、透明导电氧化物(TCO)层、缓冲层和半导体层。每个层进而可以包括多于一个的层或膜。例如，半导体层可以包括第一膜，包括形成在缓冲层上的半导体窗口层；第二膜，包括形成在半导体窗口层上的半导体吸收体层。另外，每个层可以覆盖该器件的全部或一部分和/或位于该层下方的层或基底的全部或一部分。例如，“层”可以包括与表面的全部或一部分接触的任何材料的任何量。在一个方面，一种溅射靶可以包括含有镉和锡的溅射材料。溅射材料可以包括大约60wt. %至大约75wt. %的镉。派射材料可以包括大约65wt. %至大约68wt. %的镉。派射靶可以包括不锈钢管。溅射材料可以连接到不锈钢管以形成溅射靶。溅射靶可以包括将溅射材料和衬底管结合的结合层。溅射靶可以被构造为在反应溅射工艺中使用。溅射靶可以包括镍、锌、铟、铅或铋。溅射靶可以包括多于大约0. OOlwt. %的镍。溅射靶可以包括少于大约I. Owt. %的镍。派射祀可以包括大约0. OOlwt. %至大约I. Owt. %的镍。派射祀可以包括大约0. 005wt. %至大约0. 5wt. %的镍。派射革巴可以包括大约0. Olwt. %至大约0. Iwt. %的镍。在一个方面，一种制造旋转溅射靶的方法可以包括形成包括镉和锡的溅射材料。溅射材料包括大约60wt. %至大约75wt. %的镉。该方法可以包括将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶。将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶的步骤可以包括热喷涂成型工艺。将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶的步骤可以包括等离子体喷涂成型工艺。将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶的步骤可以包括粉末冶金工艺。粉末冶金工艺可以包括热压制工艺。粉末冶金工艺可以包括等静压制工艺。将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶的步骤可以包括流动成型工艺。将溅射材料附于衬底管以形成溅射靶的步骤可以包括利用结合层将溅射材料结合到衬底管。在一个方面，一种多层结构可以包括基底；阻挡层，包括氧化硅铝且与基底相邻；透明导电氧化物层，包括锡酸镉且与阻挡层相邻；缓冲层，包括氧化锡且与透明导电氧化物层相邻。透明导电氧化物层可以包括从由镍、锌、铟、铅和铋组成的组中选择的材料。所述结构可以包括多于大约O. OOlwt. %的镍。所述结构可以包括少于大约I. Owt. %的镍。所述结构可以包括大约O. OOlwt. %至大约I. Owt. %的镍。所述结构可以包括大约O. 005wt. %至大约O. 5wt. %的镍。所述结构可以包括大约O. Olwt. %至大约O. Iwt. %的镍。透明导电氧化物层可以具有大于大约100欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有小于大约1500欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约200欧姆/平方至大约1000 欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约800欧姆/平方至大约1200欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约100欧姆/平方至大约500欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以包括具有大于大约5欧姆/平方的片电阻的退火后的层。透明导电氧化物层可以包括具有小于大约15欧姆/平方的片电阻的退火后的层。在一个方面，一种光伏器件可以包括基底；阻挡层，包括氧化硅铝且与基底相邻；透明导电氧化物层，包括锡酸镉且与阻挡层相邻；缓冲层，包括氧化锡且与透明导电氧化物层相邻。光伏器件可以包括半导体窗口层，与缓冲层相邻；半导体吸收体层，与半导体窗口层相邻；背接触件，与半导体吸收体层相邻。半导体窗口层可以包括硫化镉。半导体吸收体层可以包括碲化镉。光伏器件可以包括与背接触件相邻的背支撑件。透明导电氧化物层还包括从由镍、锌、铟、铅和铋组成的组中选择的材料。光伏器件可以包括多于大约O. OOlwt. %的镍。光伏器件可以包括少于大约I. Owt. %的镍。光伏器件可以包括少于大约I. Owt. %的镍。光伏器件可以包括大约O. OOlwt. %至大约I. Owt. %的镍。光伏器件可以包括大约0.005wt.%至大约0.5wt.%的镍。光伏器件可以包括大约O.Olwt. %至大约O. Iwt. %的镍。透明导电氧化物层可以具有大于大约100欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有小于大约1500欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约200欧姆/平方至大约1000欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约800欧姆/平方至大约1200欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以具有大约100欧姆/平方至大约500欧姆/平方的片电阻。透明导电氧化物层可以包括具有大于大约5欧姆/平方的片电阻的退火后的层。透明导电氧化物层可以包括具有小于大约15欧姆/平方的片电阻的退火后的层。在一个方面，一种光伏模块可以包括与基底相邻的多个光伏电池。光伏模块可以包括与所述多个光伏电池相邻的背盖。所述多个光伏电池中的每个光伏电池可以包括含有氧化硅铝且与基底相邻的阻挡层。光伏电池可以包括含有锡酸镉且与阻挡层相邻的透明导电氧化物层。光伏电池可以包括含有氧化锡且与透明导电氧化物层相邻的缓冲层。光伏电池可以包括与缓冲层相邻的半导体窗口层。光伏电池可以包括与半导体窗口层相邻的半导体吸收体层。光伏电池可以包括与半导体吸收体层相邻的背接触件。光伏模块可以包括具有沿背接触件分布的长度的第一条胶带。第一条胶带可以包括前表面和后表面，每个表面包含粘结剂。光伏模块可以包括沿着第一条胶带的长度分布的第一引线箔。光伏模块可以包括第二条胶带，第二条胶带具有比第一条胶带的长度短的长度，沿着第一条胶带的长度分布且位于第一条胶带的端部之间。第二条胶带可以包括前表面和后表面，每个表面包含粘结剂。光伏模块可以包括第二引线箔，第二引线箔具有比第二条胶带的长度短的长度，并且沿着第二条胶带的长度分布。光伏模块可以包括设置成与第一条胶带和第二条胶带相邻且垂直的多个平行的汇流条。所述多个平行的汇流条中的每一个汇流条可以与第一引线箔或第二引线箔中的一个接触。光伏模块可以包括第一子模块和第二子模块。第一子模块可以包括所述多个光伏电池中的串联连接的两个或更多个电池。第二子模块可以包括所述多个光伏电池中的串联连接的另外两个或更多个电池。第一子模块和第二子模块可以通过共用单元并联连接。 在一个方面，一种用于发电的方法可以包括利用光束照射光伏电池以产生光电流。所述方法可以包括收集产生的光电流。光伏电池可以包括基底。光伏电池可以包括含有氧化硅铝且与基底相邻的阻挡层。光伏电池可以包括含有锡酸镉且与阻挡层相邻的透明导电氧化物层。光伏电池可以包括含有氧化锡且与透明导电氧化物层相邻的缓冲层。光伏电池可以包括与缓冲层相邻的半导体窗口层。光伏电池可以包括与半导体窗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：边雅敏·布鲁尔，道格拉斯·达尔森，斯科特·米尔斯，戴尔·罗伯茨，杨宇，赵志波，基思·J·布罗斯，克劳斯·哈蒂格，安妮特·克瑞斯考，
申请(专利权)人：第一太阳能有限公司，
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