【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及利用磁控溅射的方法在较低的衬底温度下制备高介电调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜，其处理温度同硅半导体集成器件兼容，可应用于微波调谐等集成器件。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制本专利技术，尽管参照较佳实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围中。权利要求1.一种钛酸锶铅薄膜的制备方法，所述方法是在具有底电极的衬底上利用原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅薄膜，其特征在于，所述方法在制备薄膜过程中将衬底温度加热到200-500°C，使溅射和薄膜的结晶在所述衬底温度下进行以制备所述薄膜。2.根据权利要求I所述的制备方法，其特征在于还包括对已制备的所述薄膜在磁控溅射仪腔体中进行原位退火，所述退火温度为衬底温度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述退火降温速度为2-10°C/min。4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于退火气氛为纯氧气。5.根据权利要求I至4中任一项所述的制备方法，其特征在于所述溅射功率为30-150W、溅射气压为2-20Pa。6.根据权利要求I至5中任一项所述的制备方法，其特征在于溅射过程中氧气与氩气比例为0-50%ο7.根据权利要求I至6中任一项所述的制备方法，其特征在于所述衬底采用Si02、Si或者单晶衬底，所述底电极采用钙钛矿相氧化物导电薄膜。8.根据权利要求I至7中任一项所述的制备方法，其特征在于溅射过程中薄膜的轴心法线方向偏离靶材...
【技术保护点】
一种钛酸锶铅薄膜的制备方法，所述方法是在具有底电极的衬底上利用原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅薄膜，其特征在于，所述方法在制备薄膜过程中将衬底温度加热到200？500℃，使溅射和薄膜的结晶在所述衬底温度下进行以制备所述薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王根水，李魁，董显林，雷秀云，李涛，陈莹，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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