【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种掺氟氧化锡(FTO)薄膜的制备方法，具体涉及ー种成本更低、エ艺更简单的利用射频磁控溅射技术制备掺氟氧化锡薄膜的方法。
技术介绍
FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗ロ材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。在薄膜太阳电池上的应用太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的福射能转化成电能的ー种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染 料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells, DSCS)等的透明电极,对它的要求是具有低电阻率；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。在显示器上的应用显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主...
【技术保护点】
掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。
【技术特征摘要】
1.掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤 a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥； b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上； C、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。2.根据权利要求I所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于步骤a中干燥的温度为50 300°C。3.根据权利要求2所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于步骤a中干燥的温度为100 200°C。4.根据权利要求I所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于溅射过程中，真空室气氛为O. 5 IOPa的氩气，氩气供气压力为O. I 5MPa。5.根据权利要求4所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于预溅射时间为O.5 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝德均，崔旭梅，黄双华，邹敏，陈孝娥，
申请(专利权)人：攀枝花学院，
类型：发明
国别省市：
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