声波器件制造技术

本发明专利技术提供了声波器件。声波器件包括：基板；下电极，其位于基板上；压电膜，其位于下电极上，并且由c轴方向的晶格常数与a轴方向的晶格常数之比小于1.6的氮化铝制成；以及上电极，其位于压电膜上，并隔着压电膜面对下电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一些方面涉及声波器件。
技术介绍
近些年，广泛使用诸如移动电话的通信设备。存在使用声波的声波器件被用作通信设备和双工器等的滤波器的情况。作为声波器件的示例，存在使用表面声波(SurfaceAcoustic Wave:SAW)的器件、使用体声波(Bulk Acoustic Wave:BAW)的器件等。压电薄膜谐振器是使用BAW的器件,并包括FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator:膜体声波谐振器)、SMR (Solidly Mounted Resonator:固态装配型谐振器)等。另外，存在着使用拉姆波(Lamb Wave)的器件。当压电膜的机电稱合系数变大时,声波器件的频率特性改善,并且带宽变宽成为可能。日本专利申请公报No. 2002-344279公开了一种通过使用含有碱土金属和稀土金属的压电薄膜来改善压电薄膜谐振器的特性的技术。日本专利申请公报No. 2009-10926公开了一种通过使用含有钪的压电薄膜来改善压电薄膜谐振器的特性的技术。IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS, FERROELECTRICS AN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波器件，该声波器件包括：基板；下电极，其位于所述基板上；压电膜，其位于所述下电极上，并且由c轴方向的晶格常数与a轴方向的晶格常数之比小于1.6的氮化铝制成；以及上电极，其位于所述压电膜上，并且隔着所述压电膜面对所述下电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：横山刚，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：