一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器，属于声表面波领域。它解决了现有的声表面波插损过大的问题。本实用新型专利技术声表面波谐振器，其包括压电晶片、设置于压电晶片上的叉指换能器以及设置于叉指换能器两侧的第一短路指反射阵和第二短路指反射阵；所述叉指换能器为GAM优化加权单元。本实用新型专利技术声表面波谐振器金属结构尺度较小、插入损耗较低、其中心谐振频率为579MHZ至580MHZ，谐振摆幅为28dB。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及声表面波器件
，尤其涉及一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器。
技术介绍
当具有压电效应的晶体受到外应力作用时，会产生与应力成正比的电场；反之，当晶体受到外电场作用时，晶体同时也产生与外电场成正比的弹性形变，该弹性形变激发出声波，激发的声波沿晶体表面传播形成声表面波。利用上述声表面波的传播即可实现电信号到声信号以及声信号到电信号的转换。声表面波谐振器是指在压电晶片上制作叉指换能器，同时在叉指换能器两侧还设置有反射阵列。该叉指换能器可以完成声-电转换，该反射阵列形成分布式谐振腔，在某一 频率上，当该谐振腔的长度等于半波长的整数倍时即形成声谐振，该声谐振由叉指换能器转换为电谐振从而实现声表面波谐振器的功能。现有的声表面波谐振器由于其叉指换能器和反射阵列设计的不完善，具有较大的插入损耗。并且现有的声表面波谐振器的中心频率一般为315MHZ、433MHZ，该频段复用率高，信道拥堵现象严重，构成专用无线系统时，抗干扰及安全性差。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供了一种安全性好、谐振摆幅较大、损耗较低的声表面波谐振器。本技术解决其技术问题采用的技术方案是提出一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器，其包括压电晶片、设置于压电晶片上的叉指换能器以及设置于叉指换能器两侧的第一短路指反射阵和第二短路指反射阵；所述叉指换能器为GAM优化加权单元。所述GAM是一种基于神经网络理论的加权方法。进一步地，所述谐振器为中心频率为579MHZ至580MHZ的谐振器，所述谐振器的插入损耗为I至I. 5dB，谐振摆幅为28dB。进一步地，所述叉指换能器包括平行设置的第一换能器电极条以及第二换能器电极条，所述第一换能器电极条以及第二换能器电极条之间排布有多条金属条；每条金属条与第一换能器电极条以及第二换能器电极条中任一换能器电极条相连且不与其他换能器电极条相连；相邻的金属条连接的换能器电极条不同。进一步地，所述第一短路指反射阵和第二短路指反射阵结构相同，均包括平行设置的第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条，第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条之间等间距的连接有多条短路金属条，该多条短路金属条均将第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条连接。进一步地，所述换能器金属条的长度以中心金属条为对称轴呈对称分布，金属条的长度向两侧逐渐递减。采用对称方式排布金属条，保证了声表面波谐振器声-电转换的效率。进一步地，换能器金属条的宽度根据声表面波谐振频率的不同而不同，且换能器金属条与短路金属条宽度之比为特定比例，以实现特定的谐振频点。本技术声表面波谐振器通过设计叉指换能器的结构并采用铜铝合金质的结构材料使得其中心频率较常规声表面波谐振器高，金属结构尺度较小、谐振摆幅较大、插入损耗较低。同时，本技术声表面波谐振器的谐振频段避开了信号拥堵的通用频段，用于专用无线系统时，安全性高，抗干扰能力强。附图说明图I是本技术SR580T75型低损耗声表面波谐振器的结构示意图；图2是本技术SR580T75型低损耗声表面波谐振器的封装外形图。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。请参照图1，图I为本技术SR580T75型低损耗声表面波谐振器的结构示意图，图I中，SR580T75型低损耗声表面谐振器包括压电晶片5，设置于压电晶片5上的叉指换能器6，设置于叉指换能器6两侧的第一短路指反射阵3和第二短路指反射阵4。本技术中叉指换能器6经过GAM优化加权，使得本技术声表面波谐振器谐振摆幅加大，插入损耗减小。叉指换能器包括平行设置的第一换能器电极条以及第二换能器电极条，第一换能器电极条以及第二换能器电极条之间排布有多条金属条；每条金属条与第一换能器电极条以及第二换能器电极条中任一换能器电极条相连且不与其他换能器电极条相连；相邻的金属条连接的换能器电极条不同。第一短路指反射阵3和第二短路指反射阵4结构相同，均包括平行设置的第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条，第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条之间等间距的连接有多条短路金属条，该多条短路金属条均将第一反射阵电极条以及第二反射阵电极条连接。更优选地，所述换能器金属条长度以中心金属条为对称轴呈对称分布，各金属条的长度向两侧逐渐递减。更优选地，所述换能器金属条的宽度设置为四分之一工作波长，且换能器金属条与短路金属条宽度之比为I : O. 9926，以避开现有的315MHz、433MHz等谐振频点并实现较大的谐振摆幅和较小的谐振损耗。请参照图I、图2，其为本技术SR580T75型低损耗声表面波谐振器封装时的结构示意图。封装时，第一换能器电极条以及第二换能器电极条上还分别连接有用于信号输入和输出的第一信号引脚5和第二信号引脚6 ;两个短路指反射阵的任一反射阵电极条上连接有接地引脚7。封帽8将压电晶片I覆盖。在一优选实施例中，压电晶片I采用石英制成，叉指换能器2以及第一短路指反射阵3和第二短路指反射阵4均由铜铝合金制成。叉指换能器2以及第一短路指反射阵3和第二短路指反射阵4的厚度均为O. 015至O. 025毫米。在该优选实施例中，声表面波谐振器的电学性能参数如下表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器，其特征在于：包括压电晶片、设置于压电晶片上的叉指换能器以及设置于叉指换能器两侧的第一短路指反射阵和第二短路指反射阵；所述叉指换能器为GAM优化加权单元。

【技术特征摘要】
1.一种SR580T75型低损耗声表面波谐振器,其特征在于包括压电晶片、设置于压电晶片上的叉指换能器以及设置于叉指换能器两侧的第一短路指反射阵和第二短路指反射阵；所述叉指换能器为GAM优化加权单元。2.如权力要求I所述的声表面波谐振器，其特征在于所述谐振器为中心频率为579MHZ至580MHZ的谐振器，所述谐振器的插入损耗为I至I. 5dB，谐振摆幅为28dB。3.如权利要求I或2所述的声表面波谐振器，其特征在于所述叉指换能器包括平行设置的第一换能器电极条以及第二换能器电极条，所述第一换能器电极条以及第二换能器电极条之间排布有多条金属条；每...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵成，林波，王敬元，
申请(专利权)人：台州欧文电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：