发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，其包含：一基板；多个第一发光二极管单元于基板上，其中每一多个第一发光二极管单元具有一第一电极结构；及多个第二发光二极管单元于多个第一发光二极管单元之间，其中每一多个第二发光二极管单元通过覆晶倒装方式将第二电极结构各自与邻近的第一发光二极管单元的第一电极结构相对接合。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术涉及一种发光元件结构及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同，具有耗电量低、元件寿命长、无需暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件，在市场上的应用颇为广泛。例如，光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。
技术实现思路
为达到上述目的及效果，本专利技术提供一发光元件，包含：一基板；多个第一发光二极管单元于基板上，其中每一多个第一发光二极管单元具有一第一电极结构；及多个第二发光二极管单元于多个第一发光二极管单元之间，其中每一多个第二发光二极管单元具有一第二电极结构；其中每一多个第二发光二极管单元通过覆晶倒装方式将第二电极结构各自与邻近的第一发光二极管单元的第一电极结构相对接合本专利技术提供一发光元件，其中第一电极结构和第二电极结构各包含一第一电性电极及一第二电性电极。其中每一多个第二发光二极管单元的第二电极结构的第一电性电极各自与相邻的第一发光二极管单元的第一电极结构的第二电性电极连结；每一多个第二发光二极管单元的第二电极结构的第二电性电极各自与相邻的第一发光二极管单元的第一电极结构的第一电性电极连结。附图说明图1为本专利技术所揭示的第一实施例发光元二极管的结构剖面示意图；图2为本专利技术所揭示的第二实施例发光元二极管的结构剖面示意图；图3为本专利技术所揭示的第三实施例发光元二极管的结构剖面示意图；图4为本专利技术所揭示的第四实施例发光元二极管的结构剖面示意图。主要元件符号说明1，2，3，4：发光元件11，21，31，41，51，61：成长基板12，32，52：第一发光二极管单元22，42，62：第二发光二极管单元13，33，53：第一电极结构第一电性电极14，34，54：第一电极结构第二电性电极23，43，63：第二电极结构第一电性电极24，44，64：第二电极结构第二电性电极19，39，59：底部填充物质25，45，65：反射结构30，50：承载基板35，55：第二绝缘结构36，56：导电连结结构37：第一绝缘结构38，58：延伸电极结构121，221，321，421，521，621：第一型半导体层122，222，322，422，522，622：发光层123，223，323，423，523，623：第二型半导体层具体实施方式以下配合附图说明本专利技术的各实施例。首先，如图1所示，本专利技术的第一实施例提供一种发光元件1。发光元件1具有一成长基板11，多个第一发光二极管单元12直接外延成长于此基板上。本实施例中第一发光二极管单元12有三个，但并不以此数目为限。其中，每一个第一发光二极管单元12包含一第一型半导体层121、一发光层122、以及一第二型半导体层123。依序蚀刻部分第二型半导体层123、发光层122、第一型半导体层121至裸露出第一型半导体层121的一表面，再分别于裸露的第一型半导体层121一表面及第二型半导体层123上形成一第一电性电极13及一第二电性电极14，其中第一电性电极13和第二电性电极14组成第一发光二极管单元12的第一电极结构。另外于一成长基板21之上直接外延成长多个第二发光二极管单元22；本实施例中第二发光二极管单元22有两个，但并不以此数目为限。其中，每一个第二发光二极管单元22包含一第一型半导体层221、一发光层222、以及一第二型半导体层223。依序蚀刻部分第二型半导体层223、发光层222、第一型半导体层221至裸露出第一型半导体层221的一表面。为了增加第二发光二极管单元22的发光效率，于第二型半导体层223上可以分别选择性地形成反射结构25，例如为金属反射层或分布式布拉格反射层(DBR，distributedBraggreflector)等；再分别于裸露的第一型半导体层221一表面及反射结构25上形成一第一电性电极23及一第二电性电极24，其中第一电性电极23和第二电性电极24组成第二发光二极管单元22的第二电极结构；再通过切割步骤以形成多个第二发光二极管单元。其中多个第一发光二极管单元间具有多个间隙，且其间隙小于任一第二发光二极管单元22的宽度。每一多个第二发光二极管单元22通过覆晶倒装的方式将其第二电极结构各自与相邻的第一发光二极管单元12的第一电极结构相对接合，亦即以第二发光二极管单元22的第一电性电极23与一第一发光二极管单元12的第二电性电极14接合；以发光二极管单元22的第二电性电极24与另一第一发光二极管单元12的第一电性电极13接合形成电性串联连结。再于第二发光二极管单元22与成长基板11间形成一底部填充物质(underfill)19，包含一绝缘材料，其可为一各向异性导电胶(AnisotropicConductiveGlue)。最后所形成的发光元件为一单芯片具有一边长介于0.5mm至5mm之间。其中，成长基板11、21的材质可包含但不限于锗(germanium,Ge)、砷化镓(galliumarsenide,GaAs)、磷化铟(indiumphosphide,InP)、蓝宝石(sapphire)、碳化硅(siliconcarbide)、硅(silicon)、氧化锂铝(lithiumaluminumoxide,LiAlO2)、氧化锌(zincoxide,ZnO)、氮化镓(galliumnitride,GaN)、氮化铝(aluminumnitride)等。第一发光二极管单元12及第二发光二极管单元22的材质可包含磷化铝镓铟化合物或氮化铝镓铟化合物。其中任一多个第一发光二极管单元12的发光层122所放射的主波长(dominantwavelength)与任一多个第二发光二极管单元22的发光层222所放射的主波长彼此大致相同或相异，且各第二发光二极管单元22的发光层222所放射的峰值波长彼此大致相同或相异，各第一发光二极管单元12的发光层122所放射的峰值波长彼此大致相同。此外，任一多个第一发光二极管单元12及/或任一多个第二发光二极管单元22的侧壁可为非垂直的斜面(图未示)。如图2所示，本专利技术的第二实施例提供一种发光元件2。提供一成长基板31，多个第一发光二极管单元32直接外延成长于此基板上。本实施例中第一发光二极管单元32有三个，但并不以此数目为限。其中，每一个第一发光二极管单元32包含一第一型半导体层321、一发光层322、以及一第二型半导体层323。依序蚀刻部分第二型半导体层323、发光层322、第一型半导体层321至裸露出第一型半导体层321的一表面，再分别于裸露的第一型半导体层321一表面及第二型半导体层323上形成一第一电性电极33及一第二电性电极34，其中第一电性电极33和第二电性电极34组成第一发光二极管单元32的第一电极结构，再通过切割步骤以形成多个第一发光二极管单元。另外于一成长基板41之上直接外延成长多个第二发光二极管单元42；本实施例中第二发光二极管单元42有两个，但并不以此数目为限。其中，每一个第二发光二极管单元42包含一第一型半导体层421、一发光层422、以及一第二型半导体层423。依序蚀刻部分第二型半导体层423、发光层422、第一型半导体层421至裸露出第一型半导体层421的一表面。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一发光元件，包含：基板；多个第一发光二极管单元于该基板之上，其中每一该多个第一发光二极管单元具有第一电极结构；及多个第二发光二极管单元于该多个第一发光二极管单元之间，其中每一该第二发光二极管单元具有第二电极结构；其中每一该多个第二发光二极管单元通过覆晶倒装方式将该第二电极结构各自与邻近的该第一发光二极管单元的该第一电极结构相对接合。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包含：基板；多个第一发光二极管单元于该基板之上，且该多个第一发光二极管单元之间形成有间隙，其中每一该第一发光二极管单元具有第一电极结构；多个第二发光二极管单元于该多个第一发光二极管单元之间，其中每一该第二发光二极管单元具有第二电极结构，该多个第一电极结构和该多个第二电极结构各包含第一电性电极及第二电性电极；及导电连接结构，其介于其中一第一电极结构的该第一电性电极以及相邻的第二电极结构的该第二电性电极之间，且该第一电性电极与该第二电性电极通过该导电连接结构形成电连接；其中该间隙大于任一第二发光二极管单元的一宽度。2.如权利要求1所述的发光元件，其中每一该第一发光二极管单元及每一该第二发光二极管单元各包含：第一型半导体层；第二型半导体层；及发光层，形成于该第一型半导体层与该第二型半导体层间；其中，于该多个第一发光二极管单元其中之一，其该第一型半导体层是位于该基板以及其该第一电极结构之间；且于该多个第二发光二极管单元其中之一，其该第二电极结构是位于其该第一型半导体层以及该基板之间。3.如权利要求1所述的发光元件，还包含底部填充物质于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，钟健凯，刘欣茂，姚久琳，黄建富，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：