固态成像器件和电子设备制造技术

提供固态成像器件及其电子设备。该固态成像器件包括：多个光电转换单元；浮置扩散单元，其由多个光电转换单元共享并且将在多个光电转换单元的每一个中生成的电荷转换成电压信号；多个转移单元，其分别提供在多个光电转换单元中并且将在多个光电转换单元中生成的电荷转移到浮置扩散单元；第一晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，并且包括以第一布局结构布置的栅极和源极/漏极；以及第二晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，包括以与第一布局结构对称的第二布局结构布置的栅极和源极/漏极，并且提供在与第一晶体管组分开的区域中。

【技术实现步骤摘要】
固态成像器件和电子设备
本公开涉及固态成像器件和包括固态成像器件的电子设备。
技术介绍
迄今为止，作为固态成像器件，近年来已经在各种应用中使用互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器,其通过金属氧化物半导体（MOS）晶体管读取存储在光电二极管（光电转换元件）中的信号电荷。一般来说，CMOS图像传感器具有在其上形成光电地转换入射光的光电二极管的衬底以及形成在衬底上的布线层。目前，作为CMOS图像传感器，已经广泛使用了从衬底的布线层侧上的表面用光照射的前照式CMOS图像传感器。而且，近年来，为了改善光电二极管的灵敏度，也已经提出了从与衬底的布线层侧相对的侧上的表面（反面）用光照射的背照式CMOS图像传感器。在背照式CMOS图像传感器中，依据依据其结构特征，与前照式CMOS图像传感器相比，显著改善了提供在像素单元中的例如导线、晶体管等的布局的自由程度。具体地说，从衬底的布线层侧用光照射前照式CMOS图像传感器。从而，在像素单元的例如导线、晶体管等中出现诸如入射光的反射、吸收、折射、光屏蔽之类的现象。为此，在前照式CMOS图像传感器中，可能降低光电二极管的灵敏度或者灵敏度差异可能出现在像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像器件，包括：多个光电转换单元；浮置扩散单元，其由多个光电转换单元共享并且将在多个光电转换单元的每一个中生成的电荷转换成电压信号；多个转移单元，其分别提供在多个光电转换单元中并且将在多个光电转换单元中生成的电荷转移到浮置扩散单元；第一晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，并且包括以第一布局结构布置的栅极和源极/漏极；以及第二晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，包括以与第一布局结构对称的第二布局结构布置的栅极和源极/漏极，并且提供在与第一晶体管组分开的区域中。

【技术特征摘要】
2011.08.22 JP 2011-180142;2012.06.28 JP 2012-14561.一种固态成像器件，包括：多个光电转换单元；浮置扩散单元，其由多个光电转换单元共享并且将在多个光电转换单元的每一个中生成的电荷转换成电压信号；多个转移单元，其分别提供在多个光电转换单元中并且将在多个光电转换单元中生成的电荷转移到浮置扩散单元；第一晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，并且包括以第一布局结构布置的栅极和源极/漏极；以及第二晶体管组，其电连接到浮置扩散单元，包括以与第一布局结构对称的第二布局结构布置的栅极和源极/漏极，并且提供在与第一晶体管组分开的区域中，其中第一晶体管组中的栅极的面积总和与第二晶体管组中的栅极的面积总和相等。2.根据权利要求1的固态成像器件，其中响应于经由浮置扩散单元转换的电压信号进行相同操作的多个晶体管的栅极和源极/漏极提供在第一晶体管组和第二晶体管组之一中。3.根据权利要求1的固态成像器件，其中响应于经由浮置扩散单元转换的电压信号进行相同操作的多个晶体管中的某些晶体管的栅极和源极/漏极提供在第一晶体管组中，而其余晶体管的栅极和源极/漏极提供在第二晶体管组中。4.根据权利要求2的固态成像器件，其中进行相同操作的多个晶体管中的某些晶体管不起晶体管的作用。5.根据权利要求1的固态成像器件，其中至少在第一晶体管组和第二晶体管组之一中提供虚栅极。6.根据权利要求1的固态成像器件，其中响应于经由浮置扩散单元转换的电压信号进行不同操作的多个晶体管中的某些晶体管的栅极和源极/漏极提供在第一晶体管组中，而其余晶体管的栅极和源极/漏极提供在第二晶体管组中。7.根据权利要求1的固态成像器件，进一步包括阱触点，其中所述阱触点形成在多个光电转换单元的形成区域的周围区域中不同于第一晶体管组和第二晶体管组的形成区域的区域中...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤菜菜子，若野寿史，山本敦彦，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：