图像传感器、成像装置和活体成像装置制造方法及图纸

提供了一种图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括：光电二极管、第一滤色镜和第二滤色镜，其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置，以及布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、成像装置和活体成像装置
本公开涉及图像传感器、成像装置和活体成像装置，具体地，涉及能够产生优化的光谱特性的图像传感器、成像装置和活体成像装置。
技术介绍
在诸如CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器的已知的图像传感器中，通常，像素配置为包括：关于单个光电二极管，布置单个滤色镜和单个芯片上透镜（on-chiplens）（例如，参考日本未审专利申请公开No.2010-232595）。另一方面，存在另一种已知的像素，其例如配置为包括：关于多个光电二极管，布置单个滤色镜，并且将来自多个光电二极管的输出相加（例如，参考日本未审专利申请公开No.2010-28423）。
技术实现思路
然而，在具有日本未审专利申请公开No.2010-232595和日本未审专利申请公开No.2010-28423教导的配置的像素中，汇聚到光电二极管上的光的光谱特性取决于布置在光电二极管上的滤色镜的光谱特性。因此，为了改进S/N比（信噪比）和颜色再现性，期望开发新的滤色镜。然而，为了开发新的滤色镜，需要大量的时间和成本。此外，即使在开发了用于新的滤色镜的材料时，难以获得汇聚在适于应用的各个像素的光电二极管上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括：像素单元，所述像素单元包括光电二极管，第一滤色镜和第二滤色镜，其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置，以及布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜。

【技术特征摘要】
2011.08.25 JP 2011-1833031.一种图像传感器，包括：像素单元，所述像素单元包括光电二极管，第一滤色镜和第二滤色镜，其每个布置在所述光电二极管上方的平面上的不同位置，以及布置在所述第一滤色镜上的第一芯片上透镜和布置在所述第二滤色镜上的第二芯片上透镜，其中，所述第一滤色镜和第二滤色镜的每个具有相互不同的光谱特性，以及其中，从所述像素单元输出的电信号是所述第一滤色镜和第二滤色镜的光谱特性的组合的结果。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素单元输出对应于所述第一滤色镜和第二滤色镜的光谱特性的合成结果的电平的电信号。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光电二极管包括布置在所述第一滤色镜下的第一光电二极管和布置在所述第二滤色镜下的第二光电二极管，以及将从像素单元输出的、具有对应于所述第一滤色镜和第二滤色镜的各自光谱特性的电平的电信号相加。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述像素单元还包括共同浮置扩散，其将从所述第一光电二极管和第二光电二极管的每个输出的电信号相加。5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，从所述第一光电二极管和第二光电二极管输出的电信号的每个通过单独的预设增益放大。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一光电二极管和第二光电二极管的每个单独地预设有电荷累积时间。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一滤色镜和第二滤色镜的每个具有透射红外光的特性。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素单元包括滤色镜组，其包括除了所述第一滤色镜和第二滤色镜以外的一个或多个滤色镜，以及芯片上透镜组，其包括除了所述第一芯片上透镜和第二芯片上透镜外的一个或多个芯片上透镜，所述一个或多个芯片上透镜布置在所述除了所述第一滤色镜和第二滤色镜以外的一个或多个滤色镜上。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述像素单元输出对应于所述滤色...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田征志，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：